Published April 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

Radiation stability of SiC-ion detectors to exposure by relativistic protons

Creators

  • 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe RAN, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
  • 2. Peterburgskij Inst. Yadernoj Fiziki im. B.P. Konstantinova RAN, Gatchina (Russian Federation)

Description

Schottky diodes based on 6H-SiC epitaxial films are used. The structures are exposed to dose 3 x 1014 cm-2 of 1000 MeV protons. The effect of high energy protons is studied by means of precise α-spectrometry. Parameters of deep levels induced by protons are measured using the deep-level transient spectroscopy. The number of vacancies arising in the track of 1000 and 8 MeV proton is determined by TRIM program. Thickness of space charge region and the diffusion length for holes is determined before and after irradiation by fitting the experimental result of α-spectrometry and capacitance measurements. The results show insignificant changes of charges transport properties in SiC detectors

Abstract (Russian)

Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3 х 1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной α-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по α-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе 6H-SiC

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов к воздействию релятивистских протонов

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
35
Journal Issue
4
Journal Page Range
p. 495-498
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
34010447
Subject category
S46: INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY;
Descriptors DEI
ALPHA SPECTRA; CARRIER MOBILITY; ELECTRON TRANSFER; MEV RANGE 100-1000; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; PROTON BEAMS; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SI SEMICONDUCTOR DETECTORS; SILICON CARBIDES; SPACE CHARGE; VACANCIES
Descriptors DEC
BEAMS; CARBIDES; CARBON COMPOUNDS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; ENERGY RANGE; MEASURING INSTRUMENTS; MEV RANGE; MOBILITY; NUCLEON BEAMS; PARTICLE BEAMS; POINT DEFECTS; RADIATION DETECTORS; RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR DETECTORS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; SILICON COMPOUNDS; SPECTRA

Optional Information

Notes
9 refs., 3 figs., 2 tabs.