Published February 2003
| Version v1
Journal article
Efficiency and temperature quenching of luminescence in Er-doped epitaxial silicon structures
Creators
- 1. Inst. Fiziki Mikrostruktur RAN, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
- 2. Inst. Van-der-Vaal'sa-Zeemana, Univ. g. Amsterdam, Amsterdam (Netherlands)
- 3. Nauchno-Issledovatel'skij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. Nizhegorodskogo Gosudarstvennogo Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
- 4. Inst. Fiziki Poluprovodnikov i Tverdogo Tela, Univ. g. Lints, Lints (Austria)
Description
Creation of the silicon structures doped with erbium with the luminescence external quantum efficiency on the Er3+ ion intercenter transitions up to 0.4% at T = 4.2 K and pumping capacity of 4 mW on the wave length of λ = 476 nm through the method of the sublimation molecular-beam epitaxy is reported. The emission centers, containing Er3+ ion with the increasing area of the photoluminescence intensity dependence on the temperature, are identified. The significant suppression of luminescence temperature quenching due to the epitaxial structures thermal treatment is noted for these centers
Abstract (Russian)
Сообщается о получении методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии кремниевых структур, легированных эрбием, с внешней квантовой эффективностью люминесценции на внутрицентровых переходах иона Er3+ до 0.4% при Т = 4.2 К, и мощности накачки 4 мВт на длине волны λ = 476 нм. Обнаружены излучающие центры, содержащие ион Er3+ с возрастающим участком зависимости интенсивности фотолюминесценции от температуры. Для этих центров отмечено существенное подавление температурного гашения люминесценции в результате термообработки эпитаксиальных структурAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Эффективность и температурное гашение люминесценции в эпитаксиальных кремниевых структурах, легированных эрбием
Publishing Information
- Journal Title
- Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
- Journal Volume
- 67
- Journal Issue
- 2
- Journal Page Range
- p. 273-276
- ISSN
- 1026-3489
- CODEN
- IRAFEO
Conference
- Title
- The workshop Nanophotonics
- Original Conference Title
- Soveshchanie Nanofotonika
- Dates
- Mar 2002
- Place
- Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35057047
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- DOPED MATERIALS; ERBIUM ADDITIONS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM EFFICIENCY; SILICON; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; THIN FILMS
- Descriptors DEC
- ALLOYS; CRYSTAL GROWTH METHODS; EFFICIENCY; ELEMENTS; EMISSION; EPITAXY; ERBIUM ALLOYS; FILMS; LUMINESCENCE; MATERIALS; PHOTON EMISSION; RARE EARTH ADDITIONS; RARE EARTH ALLOYS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 7 refs., 4 figs.