Published January 1982
| Version v1
Journal article
Crystal growing of III-V semiconductors with solution zones
Description
Crystals of III-V-semiconductors grown from metallic solutions often show better physical properties, e.g. lower defect concentrations or lower dislocation densities than III-V-material grown from the melt. Taking monocrystalline seeds the Travelling-Heater-Method (THM) may lead to single crystals with large diameters. The growth temperatures mostly are several hundred degrees below the melting point of the relevant III-V-compound. Growth rates are low and in the range of a few millimeters per day. (orig.)
Abstract (German)
Einkristalle der III-V-Halbleiter, gezuechtet aus metallischen Loesungen, zeigen meist guenstigere physikalische Eigenschaften als Kristalle, die aus der Schmelze hergestellt werden. Mit Hilfe des Loesungszonenziehens lassen sich bei Verwendung von Keimkristallen Einkristalle mit grossen Durchmessern herstellen. Die Wachstumstemperaturen liegen meist einige hundert Grad unterhalb des Schmelzpunkts der entsprechenden III-V-Verbindung. Die Wachstumsraten sind klein und liegen bei einigen Millimetern pro Tag. (orig.)Additional details
Additional titles
- Original title (German)
- Kristallzuechtung von III-V-Halbleitern mit Loesungszonen
Publishing Information
- Journal Title
- Metall
- Journal Volume
- 36
- Journal Issue
- 1
- Series
- Metall.
- Journal Page Range
- 25-28
- ISSN
- 0026-0746
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 13679964
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- CRYSTAL GROWTH; GALLIUM ARSENIDES; HEATING; INDIUM PHOSPHIDES; METALS; MONOCRYSTALS; NUCLEATION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SOLUTIONS; ZONES
- Descriptors DEC
- ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; CRYSTALS; DISPERSIONS; ELEMENTS; GALLIUM COMPOUNDS; HOMOGENEOUS MIXTURES; INDIUM COMPOUNDS; MIXTURES; PHOSPHIDES; PHOSPHORUS COMPOUNDS