Apparatus for the selective radiogenic implantation of doping materials in a semiconductor crystal rod
Description
The invention describes a device allowing by means of a nuclear reaction to implant doping material reproduceably in a semiconductor-crystal rod. The device consists of an irradiation chamber with a movable holding device for the crystal rod clamped vertically, a driving mechanism coupled to it and performing controllable lifting movements, and a joint for a radiation source arranged near the side wall of the irradiation chamber. For radiation source, a neutron beam from a nuclear reactor focused by a neutron conductor is suitable. As an example, the doping of a silicium crystal rod is cited (according to the reaction Si30 (n,γ) Si31 β- → P31). Suitable embodiments of constructional details are described. The apparatus allows a very homogeneous reproducible doping substance concentration. (UWI)
Availability note (English)
MF available from INIS under the Report Number.Abstract (German)
Die Erfindung beschreibt eine Vorrichtung, die es erlaubt, mit Hilfe einer Kernreaktion gezielt und reproduzierbar Dotierungsmaterial in einen Halbleiterkristallstab einzubringen. Die Vorrichtung besteht aus einer Bestrahlungskammer mit einer beweglichen Halteeinrichtung fuer den lotrecht eingespannten Kristallstab, einem mit dieser gekoppelten, steuerbare Hubbewegungen ausfuehrenden Antriebsmechanismus und einem im Bereich der Seitenwand der Bestrahlungskammer angeordneten Anschluss fuer eine Strahlungsquelle. Als Strahlungsquelle ist ein mit einem Neutronenleiter gebuendelter Neutronenstrahl aus einem Kernreaktor geeignet. Als Beispiel ist die Dotierung eines Siliciumeinkristallstabes (nach der Reaktion Si-30 (n,γ) Si-31 β- → P-31) angegeben. Zweckmaessige Ausgestaltungen der konstruktiven Einzelheiten sind beschrieben. Die Vorrichtung erlaubt eine sehr homogene reproduzierbare Dotierstoffkonzentration. (UWI)Files
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Additional details
Additional titles
- Original title (German)
- Vorrichtung zum gezielten Einbringen von Dotierungsmaterial in einen Halbleiterkristallstab auf radiogenem Wege
Publishing Information
- Imprint Pagination
- 17 p.
- IPC:
- Int. Cl. B01J 17-34.
- IPC
- Int. Cl. B01J 17-34.
- Patent number
- DE patent document 2438710/A/
INIS
- Country of Publication
- Germany
- Country of Input or Organization
- Germany
- INIS RN
- 8296649
- Subject category
- S07: ISOTOPES AND RADIATION SOURCES;
- Descriptors DEI
- CRYSTAL DOPING; IRRADIATION; NEUTRON BEAMS; NEUTRON REACTIONS; PHOSPHORUS 31; PRODUCTION; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; SILICON 31; THERMAL NEUTRONS
- Descriptors DEC
- BARYON REACTIONS; BARYONS; BEAMS; BETA DECAY RADIOISOTOPES; BETA-MINUS DECAY RADIOISOTOPES; ELEMENTARY PARTICLES; ELEMENTS; EVEN-ODD NUCLEI; FERMIONS; HADRON REACTIONS; HADRONS; HOURS LIVING RADIOISOTOPES; ISOTOPES; LIGHT NUCLEI; NEUTRONS; NUCLEAR REACTIONS; NUCLEI; NUCLEON BEAMS; NUCLEON REACTIONS; NUCLEONS; ODD-EVEN NUCLEI; PARTICLE BEAMS; PHOSPHORUS ISOTOPES; RADIOISOTOPES; SEMIMETALS; SILICON ISOTOPES; STABLE ISOTOPES
Optional Information
- Notes
- 2 figs. Available from Dt. Patentamt, Muenchen (FRG).