Published July 2004
| Version v1
Journal article
Radiative recombination in Ge+ ion-implanted SiO2 films annealed under hydrostatic pressure
Creators
- 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov Sibirskogo Otdeleniya Rossijskoj Akademii Nauk, Novosibirsk (Russian Federation)
- 2. Nanoparc GmbH, Dresden-Rossendorf (Germany)
Description
Photoluminescence and photoluminescence excitation spectra from the Ge+ ion implanted SiO2 films annealed under conditions of hydrostatic pressure at Ta=450-1100 Deg C and P=12 kbar were studied at room temperature. It was obtained that the appearance of the specific features in the emission spectra of the violet and green photoluminescence bands correlated with the formation of homogeneously stressed Ge nanocrystals. High-energy shift in photoluminescence band position observed at Ta≥800 Deg C was explained by the modification of the energy level of respective radiative-recombination centers under increasing stresses
Abstract (Russian)
Исследованы спектры фотолюминесценции и спектры возбуждения фотолюминесценции при комнатной температуре в пленках SiO2, имплантированных ионами Ge+ и отожженных в условиях гидростатического сжатия при температуре Ta=450-1100 град C и давлении P=12 кбар. Установлено, что появление особенностей в спектрах эмиссии и спектрах возбуждения фиолетовой и зеленой полос фотолюминесценции коррелирует с формированием однородно напряженных нанокристаллов Ge. Высокоэнергетический сдвиг полос фотолюминесценции с ростом Ta≥800 град С объясняется смещением энергетических уровней формирующихся центров излучательной рекомбинации за счет возрастающих деформационных потенциаловAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Излучательная рекомбинация в пленках SiO
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 7
- Journal Page Range
- p. 852-857
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37011368
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- EMISSION SPECTRA; EXCITATION; GERMANIUM IONS; ION IMPLANTATION; NANOSTRUCTURES; PHOTOLUMINESCENCE; PRESSURE RANGE KILO PA; SILICA; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 1000-4000 K; THIN FILMS
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLES; EMISSION; ENERGY-LEVEL TRANSITIONS; FILMS; IONS; LUMINESCENCE; MINERALS; OXIDE MINERALS; PHOTON EMISSION; PRESSURE RANGE; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 18 refs., 5 figs.