Published August 2000
| Version v1
Journal article
Properties of Bi2Te3 single crystals doped with Sn
- 1. Inst. metallurgii i Materialovedeniya im. A.A. Bajkova RAN, Moscow (Russian Federation)
Description
One studied the effect of tin doping on the properties of bismuth telluride single crystals grown using the Czochralski method. One added tin in the amount constituting 0.2-1 at.%. One determined the efficient factor of tin distribution in Bi2Te3 (Kef. = 0.6). The measurements of the thermo-emf coefficient, of the electric conductivity and of the Hall effect at room temperature demonstrated that small additions of tin (0.2-0.5 at.%) affected insignificantly the variation of p-Bi2Te electrophysical properties. when the content of tin was increased up to 0.7-1 at.% one observed the reduction of the thermo-emf coefficient, the increase of the electric conductivity and of the concentrations of holes
Abstract (Russian)
Исследовано влияние легирования оловом на свойства монокристаллов теллурида висмута, выращенных по методу Чохральского. Олово вводили в количестве 0,2 до 1 ат.%. Определен эффективный коэффициент распределения олова в Bi2Te3 (Кэф = 0,6). Измерения коэффициента термо-э.д.с., электропроводности и эффекта Холла при комнатной температуре показали, что малые добавки олова (0,2-0,5 ат.%) оказывают незначительное влияние на изменение электрофизических свойств р-Bi2Te3. При увеличении содержания олова до 0,7-1 ат. % наблюдается уменьшение коэффициента термо-э.д.с., увеличение элеткропроводности и концентрации дырокAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Свойства монокристаллов теллурида висмута, легированного оловом
Publishing Information
- Journal Title
- Neorganicheskie Materialy
- Journal Volume
- 36
- Journal Issue
- 8
- Journal Page Range
- p. 924-927
- ISSN
- 0002-337X
- CODEN
- NEOMB8
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 32047306
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- BISMUTH TELLURIDES; CONCENTRATION RATIO; CZOCHRALSKI METHOD; ELECTRIC CONDUCTIVITY; HALL EFFECT; MONOCRYSTALS; THERMOELECTRIC PROPERTIES; TIN ADDITIONS
- Descriptors DEC
- ALLOYS; BISMUTH COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; CRYSTAL GROWTH METHODS; CRYSTALS; ELECTRICAL PROPERTIES; PHYSICAL PROPERTIES; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TIN ALLOYS
Optional Information
- Notes
- 12 refs.; 2 tabs.; 2 figs.