Published March 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

Nitrogen-hydrogen plasma processing of thin vanadium films

Creators

  • 1. Inst. Ehlektroniki NAN Belorussii, Minsk (Belarus)

Description

One studied structure and phase transformations in vanadium films treated in nitrogen-hydrogen plasma. It is shown that the specific resistance of films changed under plasma irradiation. At up to 500 deg C temperatures the increase of film resistance resulted from formation of nitride phase and within 500-750 deg C range the change of film conductivity resulted from the structure transformation while at up to 800 deg C irradiation temperature increase - from film oxidation

Abstract (Russian)

Исследованы структурные и фазовые превращения в пленках ванадия при обработке в азот-водородной плазме. Показано, что при плазменном облучении происходит изменение удельного сопротивления пленок. При температурах до 500 град С рост сопротивления пленок вызван формированием нитридной фазы, в интервале 500-750 град С изменение проводимости пленок обусловлено структурными превращениями, а при увеличении температуры облучения до 800 град С - окислением пленок

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Обработка тонких пленок ванадия в азот-водородной плазме

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
37
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 298-302
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33022252
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ELECTRIC CONDUCTIVITY; HYDROGEN; NITROGEN; OXIDATION; PHASE STUDIES; PLASMA; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; TEMPERATURE RANGE 1000-4000 K; THIN FILMS; VANADIUM
Descriptors DEC
CHEMICAL REACTIONS; ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; FILMS; METALS; NONMETALS; PHYSICAL PROPERTIES; TEMPERATURE RANGE; TRANSITION ELEMENTS

Optional Information

Notes
11 refs.; 2 tabs.; 4 figs.