Published September 12, 2003 | Version v1
Journal article

Magnetic field transducer based on the compensated silicon

  • 1. Tashkentskij Gosudarstvennyj Tekhnicheskij Univ. im. A.R. Beruni, Tashkent (Uzbekistan)

Description

The effect of the negative magnetic resistance (NMR) in the silicon compensated by the manganese and the possibility of its application in the magnetic field transducers are studied. It is shown, that the sensitivity of the semiconductor transducers on the silicon basis compensated by the manganese with application of the NMR, may under certain conditions exceed the sensitivity of the transducers on the positive magnetic resistance basis by more than 10 times

Abstract (Russian)

Исследован эффект отрицательного магнитного сопротивления (ОМС) в кремнии, компенсированном марганцем, и возможность его использования в датчиках магнитного поля. Показано, что в определенных условиях чувствительность полупроводниковых датчиков на основе кремния, компенсированного марганцем с использованием ОМС, может превысить чувствительность датчиков на основе положительного магнитосопротивления более чем в 10 раз

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Датчик магнитного поля на основе компенсированного кремния

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
29
Journal Issue
17
Journal Page Range
p. 8-15
ISSN
0320-0116
CODEN
PZTFDD

Optional Information

Notes
11 refs., 4 figs.