Published August 1999
| Version v1
Journal article
Determination of energy levels of elementary primary defects in silicon
Description
The experiments on determination of energy levels of elementary primary defects (Frenkel pairs) in the forbidden band of silicon are performed. The basis of these experiments is to find the dependence of the direct annihilation rate of primary defects on their charge state. The results are obtained from the combined analysis of states of atomic and electronic crystal subsystems at variations of irradiation conditions by high-energy particles. It is found that elementary primary defects have energy levels near E1 = Ec - 0.28 eV, E2 = Ec - 0.44 eV, E3 = Ec - 0.65 eV and E4 Ec - 0.86 eV
Abstract (Russian)
Проведены эксперименты по определению энергетического спектра уровней элементарных первичных дефектов (пар Френкеля) в запрещенной зоне кремния. В основе их лежит нахождение зависимости скорости прямой аннигиляции первичных дефектов от их зарядового состояния. Результаты получены из совместного анализа состояний атомной и электронной подсистем кристалла при вариациях условий облучения его высокоэнергетическими частицами. Установлено, что элементарные первичные дефекты имеют энергетические уровни вблизи E1 = Ec - 0,28 эВ, E2 = Ec - 0,44 эв, E3 = Ec - 0,65 эВ и E4 = Ec - 0,86 эВAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Определение энергетических уровней элементарных первичных дефектов в кремнии
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 33
- Journal Issue
- 8
- Journal Page Range
- p. 921-923
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 31036664
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ANNIHILATION; BAND THEORY; CARRIER DENSITY; CARRIER LIFETIME; CHARGE STATES; ELECTRON BEAMS; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY LEVELS; FRENKEL DEFECTS; MEV RANGE 01-10; N-TYPE CONDUCTORS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SILICON; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
- Descriptors DEC
- BASIC INTERACTIONS; BEAMS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTROMAGNETIC INTERACTIONS; ELEMENTS; ENERGY RANGE; INTERACTIONS; LEPTON BEAMS; LIFETIME; MATERIALS; MEV RANGE; PARTICLE BEAMS; PARTICLE INTERACTIONS; POINT DEFECTS; RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE; VACANCIES
Optional Information
- Notes
- 8 refs., 1 fig.