Published January 2001 | Version v1
Journal article Metadata-only

Observation of minority carrier traps by deep-level transient spectroscopy using high Schottky-barrier diodes with compensated contact region

Creators

  • 1. Fizicheskij Inst. im. P.N. Lebedeva Rossijskoj Akademii Nauk, Moscow (Russian Federation)

Description

The Schottky diodes fabricated from n-type zinc selenide single crystals after nitrogen ion implantation followed by radical beam gettering epitaxy treatment in atomic oxygen flow is investigated by means of the deep-level transient spectroscopy. Processes leading to observation of minority carrier traps under the reverse bias have been analyzed in the approximation of a high Schottky barrier and a compensated contact region. The procedure of obtaining the compensated region depth and minority carrier trap concentration is presented. The mechanisms of impurity generation during annealing in atomic oxygen flow is described in terms of deep level transient spectroscopy and photoluminescence measurements for zinc selenide

Abstract (Russian)

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней исследовались диоды Шоттки на основе монокристаллического селенида цинка n-типа, полученных после ионной имплантации азота и постимплантационной обработки методом радикало-лучевой эпитаксии в атомарном кислороде. На этом примере в приближении высокого барьера Шоттки и компенсированной приконтактной области проанализированы процессы, приводящие к наблюдению в исследуемых структурах ловушек неосновных носителей заряда при отрицательных напряжениях смещения. Представлена методика определения толщины компенсированной области и концентрации ловушек неосновных носителей заряда в ней. На основании результатов нестационарной спектроскопии глубоких уровней и измерений фотолюминесценции описаны механизмы дефектообразования в кристаллах селенида цинка при отжиге в атомарном кислороде

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Наблюдение ловушек неосновных носителей при нестационарной спектроскопии глубоких уровней в диодах Шоттки с высоким барьером и компенсированной приконтактной областью

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
35
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 48-52
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
33005272
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ANNEALING; CARRIER DENSITY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC POTENTIAL; ELECTRONIC STRUCTURE; ION IMPLANTATION; NITROGEN IONS; PHOTOLUMINESCENCE; SCHOTTKY BARRIER DIODES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; TRAPS; ZINC SELENIDES
Descriptors DEC
CHALCOGENIDES; CHARGED PARTICLES; ELECTRICAL PROPERTIES; EMISSION; HEAT TREATMENTS; IONS; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; PHYSICAL PROPERTIES; SELENIDES; SELENIUM COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; TEMPERATURE RANGE; ZINC COMPOUNDS

Optional Information

Notes
26 refs., 5 figs.