Published June 1999 | Version v1
Journal article Metadata-only

Photosensitivity of heterojunctions GaAs:N(GaP:N)/GaAs(GaP) in linearly polarized radiation

Creators

  • 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. RAN, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
  • 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Tekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

Paper presents the results of investigations into photo-electrical properties of the nitrated layer/GaAs (GaP) heterojunctions (HJ) obtained by plasma treatment of GaAs and GaP crystals at presence of nitrogen ions. Wide-band nature of HJ photosensitivity as to the natural emission intensity was detected. It was determined that at inclined incidence of linearly polarized radiation on the surface of nitrated layers the polarization photosensitivity controlled by Θ incidence angle appeared and rose proportionally to Θ2. Heterojunctions based on nitrated layers may be used as wide-band photo-analyzers of linearly polarized radiation

Abstract (Russian)

Представлены результаты исследований фотоэлектрических свойств гетеропереходов (ГП) азотированный слой/GaAs (GaP), полученных плазменной обработкой кристаллов GaAs и GaP в присутствии ионов азота. Обнаружен широкополосный характер фоточувствительности ГП по отношению к интенсивности естественного излучения. Установлено, что при наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность азотированных слоев возникает поляризационная фоточувствительность, которая контролируется углом падения Θ и растет пропорционально Θ2. Гетеропереходы на основе азотированных слоев могут применяться в качестве широкополосных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Фоточувствительность гетеропереходов GaAs:N(GaP:N)/GaAs(GaP) в линейно поляризованном излучении

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
69
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 138-142
ISSN
0044-4642
CODEN
ZTEFA3

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
31036838
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ANGULAR DISTRIBUTION; GALLIUM ARSENIDES; GALLIUM PHOSPHIDES; HETEROJUNCTIONS; NITROGEN ADDITIONS; PHOTOCONDUCTIVITY; PHOTON BEAMS; PHOTOSENSITIVITY; POLARIZED BEAMS; QUANTUM EFFICIENCY; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
Descriptors DEC
ALLOYS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; BEAMS; DISTRIBUTION; EFFICIENCY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; GALLIUM COMPOUNDS; PHOSPHIDES; PHOSPHORUS COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SENSITIVITY; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
12 refs., 5 figs., 1 tab.