Published October 1999 | Version v1
Journal article

A qualitative analysis of the pulse relaxation time and the temperature dependence of electron mobility in a weak interacting quantum well semiconductor superlattice

  • 1. Sibirskij Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. V. D. Kuznetsova, Tomskij Gosudarstvennyj Univ., Tomsk (Russian Federation)

Description

The formulae of the longitudinal and transverse relaxation time in a weak interacting quantum well superlattice has been made by using scattering potentials of bulk semiconductors. Consideration has been made of the scattering due to impurity ions, neutral atoms, longitudinal bulk-like acoustic and polar-optic phonons. A numerical analysis of both the longitudinal and transverse relaxation times due to the impurity ion and neutral atom scattering as a function of electron energy, temperature, electron density and the quantum well width has been performed

Abstract (Russian)

Получены формулы для продольного и поперечного времени релаксации импульса электронов в сверхрешетке из слабо взаимодействующих квантовых ям в приближении рассеивающего потенциала объемного полупроводника. Рассмотрено рассеяние на ионах примеси, нейтральных атомах, продольных акустических и полярных оптических фононах объемного типа. Проведен численный анализ зависимости продольного и поперечного времени релаксации импульса при рассеянии на ионах примеси и нейтральных атомах от энергии электронов, температуры, плотности электронного газа и ширины квантовой ямы

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Время релаксации импильса и температурная зависимост' подвижности электронов в полупроводниковых сверхрешетках из слабо взаимодействующих квантовых ям

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
33
Journal Issue
10
Journal Page Range
p. 1240-1245
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
16 refs., 4 figs., 1 tab.