A study of photoluminescence spectra of AlGaAs/GaAs/AlGaAs double quantum wells separated by a thin AlAs layer
Creators
- 1. RAN, Inst. Radiotekhniki i Ehlektroniki, Moscow (Russian Federation)
Description
Photoluminescence spectra of pairs of Al0.21Ga0.79As/GaAs/Al0.21Ga0.79As quantum wells separated by a thin AlAs-barrier (double quantum wells) have been investigated in the temperature range of (77-300) K. The wells widths varied from 65 to 175 A, AlAs-barrier thickness were 5, 10 and 20 A. When AlAs-barrier is sufficiently thin (5, 10 A) the electron coupling between quantum wells effect markedly on the energy spectra of quantum states. This leads to shifting the photoluminescence main peak and to the appearance on the high temperature spectra the particular features, associated with ground state splitting into symmetrical and antisymmetrical states. The energy levels in the coupled double quantum wells were calculated as functions of the well width and the AlAs-barrier thickness; good agreement between theoretical and experimental results was obtained
Abstract (Russian)
В диапазоне температур 77-300 К исследованы спектры фотолюминесценции системы из двух квантовых ям Al0.21Ga0.79As/GaAs/Al0.21Ga0.79As, разделенных тонким AlAs-барьером (двойные квантовые ямы). Ширина ям менялась в пределах 65-175 А, толщина AlAs-барьера составляла 5, 10 и 20 А. При достаточно малой толщине AlAs-барьера (5, 10 А) электронная связь между ямами заметно влияет на энергетический спектр квантовых состояний. Это приводит к смещению основной полосы фотолюминесценции, а на высокотемпературных спектрах - к появлению особенностей, обусловленных расщеплением уровней на симметричные и антисимметричные состояния. Проведен расчет энергии уровней в двойных связанных ямах в зависимости от ширины ямы и толщины AlAs-барьера, и получено хорошее согласие наблюдаемых в эксперименте энергий оптических переходов с расчетными значениямиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Фотолюминесцентные исследования двойных квантовых ям AlGaAs/GaAs/AlGaAs с тонким разделяющим AlAs-слоем
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 37
- Journal Issue
- 5
- Journal Page Range
- p. 599-603
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35081270
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ALUMINIUM ARSENIDES; BAND THEORY; ELECTRONIC STRUCTURE; EMISSION SPECTRA; ENERGY GAP; ENERGY LEVELS; ENERGY SPECTRA; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM MECHANICS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; THICKNESS
- Descriptors DEC
- ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; DIMENSIONS; EMISSION; GALLIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; MECHANICS; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 9 refs., 5 figs., 1 tab.