Published May 2006 | Version v1
Journal article Metadata-only

Transformation of electrically active defects in the high energy ions implanted silicon under annealing

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov SO RAN, Novosibirsk (Russian Federation)
  • 2. Yakutskij Gosudarstvennyj Univ., Yakutsk (Russian Federation)

Description

Depth profiles of electrically active defects in the n-type silicon implanted with 14 MeV B ions and transformation of the defects under annealing in the temperature range of 200- 800 Deg C have been studied. An usual set of vacancy type defects was found in the irradiated crystal. Annealing at 200-300 Deg C causes complete annealing of all centers and some transformation of defect profiles in the layer 0<h<9-12 μm. Annealing at 400-500 Deg C leads to change in the set of observed defects and decrease of the layer thickness. The annihilation of vacancion defects with interstitial atoms is suggested to be the mechanism of complete defect annealing

Abstract (Russian)

Исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией 14 МэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800 град C. Установлено, что в результате формируется набор радиационных дефектов вакансионного типа. Термообработки при 200-300 град C приводят к удалению всех вакансионных комплексов. Это происходит за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине 12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Трансформация при отжиге электрически активных дефектов в кремнии, имплантированном ионами высоких энергий

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
40
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 557-562
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
39021450
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ANNEALING; ANNIHILATION; BORON IONS; DEPTH; INTERSTITIALS; ION IMPLANTATION; MEV RANGE 10-100; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SILICON; SPATIAL DISTRIBUTION; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K; VACANCIES
Descriptors DEC
CHARGED PARTICLES; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; DIMENSIONS; DISTRIBUTION; ELEMENTS; ENERGY RANGE; HEAT TREATMENTS; INTERACTIONS; IONS; MEV RANGE; PARTICLE INTERACTIONS; POINT DEFECTS; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
18 refs., 5 figs., 1 tab.