Published August 2001 | Version v1
Journal article

Several electrical properties of CdxHg1-xTe/CdZnTe heterostructures

  • 1. Gosudarstvennyh Nauchnyj Tsentr Giredmet, Moscow (Russian Federation)

Description

Some features of electrical properties of p-type CdxHg1-xTe/CdZnTe heterostructures at liquid nitrogen temperatures are investigated. The theoretical model accepted is shown to be in satisfactory agreement with experimental data. The errors, revealed due to calculations of carrier concentrations and mobilities, are evaluated, the electron and light hole contributions to galvanomagnetic parameters being neglected

Abstract (Russian)

Проанализированы некоторые особенности электрофизических свойств гетероструктур CdxHg1-xTe/CdZnTe p-типа проводимости при температуре жидкого азота. Показано, что принятая теоретическая модель удовлетворительно описывает полученные экспериментальные данные. Оценены погрешности определения концентрации и подвижности тяжелых дырок, возникающие, если не учитывать вклады в электрофизические параметры от электронов и легких дырок

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Об особенностях электрофизических свойств гетероструктур Cд

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
35
Journal Issue
8
Journal Page Range
p. 917-919
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
5 refs., 1 fig., 1 tab.