Published March 2004
| Version v1
Journal article
Inherent disorder potential at the high-doped semiconductor surface
- 1. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Politekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
The dependence of the inherent potential inhomogeneity due to a dielectric permittivity spatial dispersion of two-dimensional electron gas at the high-doped semiconductor surface is discussed. Values and scale of the disorder potential are determined for high-degenerate surface electron gas. The dependence of these inhomogeneities on the surface and volume parameters is discussed
Abstract (Russian)
Обсуждается зависимость естественных неоднородностей потенциала от пространственной дисперсии диэлектрического отклика двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника. Определены значения и масштаб неупорядоченного потенциала в случае сильно вырожденного поверхностного электронного газа. Показана зависимость данных неоднородностей от параметров поверхности и объемаAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Естественно неупорядоченный потенциал на поверхности сильно легированного полупроводника
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 3
- Journal Page Range
- p. 331-334
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37046348
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- DIELECTRIC PROPERTIES; DOPED MATERIALS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON; SURFACE POTENTIAL
- Descriptors DEC
- ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; MATERIALS; PHYSICAL PROPERTIES; POTENTIALS; SEMIMETALS
Optional Information
- Notes
- 5 refs., 3 figs.