Published September 2000
| Version v1
Journal article
Heavy charged particle detectors on the basis of high-ohmic epitaxial silicon layers
- 1. Ob''edinennyj Inst. Yadernykh Issledovanij, Dubna (Joint Institute for Nuclear Research (JINR))
- 2. Inst. Yadernoj Fiziki, Krakov (Poland)
- 3. Inst. Tekhnologii Ehlektronnykh Materialov, Varshava (Poland)
Description
Paper describes a technique to make heavy charged particle detectors based on high-ohmic epitaxial silicon layers. Development of Pd2Si-Si-heterotransition base rectifying structure and application of Al- thin layer as an inlet electrode of detectors ensuring its high mechanical strength represent the technique peculiarities. The obtained value of Rc 17 keV characteristic resolution for 238Pu α-particles (Eα 5.49 MeV) shows the possibility to develop detectors of heavy charged particles based on silicon high-ohmic epitaxial with satisfactory spectrometric features
Abstract (Russian)
Описана методика изготовления детекторов тяжелых заряженных частиц на основе высокоомных эпитаксиальных слоев кремния. Особенностью методики является создание выпрямляющей структуры на основе гетероперехода Pd2Si-Si и использование тонкого слоя Al в качестве входного электрода детекторов, что обеспечивает его высокую механическую прочность. Полученное значение собственного разрешения Rc = 17 кэВ для α-частиц 238Pu (Eα 5,49 МэВ) свидетельствует о возможности создания на основе высокомных эпитаксиальных слоев кремния детекторов тяжелых заряженных частиц с хорошими спектрометрическими свойствамиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Детекторы тяжелых заряженных частиц на основе высокоомных эпитаксиальных слоев кремния
Publishing Information
- Journal Title
- Pribory i Tekhnika Ehksperimenta
- Journal Issue
- no.5
- Journal Page Range
- p. 17-22
- ISSN
- 0032-8162
- CODEN
- PRTEAJ
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 32030303
- Subject category
- S46: INSTRUMENTATION RELATED TO NUCLEAR SCIENCE AND TECHNOLOGY;
- Descriptors DEI
- ALPHA DETECTION; ALPHA SPECTRA; CHARGED PARTICLE DETECTION; DESIGN; ENERGY RESOLUTION; EPITAXY; FABRICATION; HETEROJUNCTIONS; LAYERS; PERFORMANCE; SI SEMICONDUCTOR DETECTORS
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLE DETECTION; CRYSTAL GROWTH METHODS; DETECTION; MEASURING INSTRUMENTS; RADIATION DETECTION; RADIATION DETECTORS; RESOLUTION; SEMICONDUCTOR DETECTORS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SPECTRA
Optional Information
- Notes
- 8 refs., 6 figs.