Published February 2006
| Version v1
Journal article
Electrical properties and the low-temperature photoluminescence of Si-doped CdTe single crystals
Creators
- 1. Chernovitskij Natsional'nyj Univ. im. Yu. Fed'kovicha, Chernovtsy (Ukraine)
- 2. Inst. Fiziki Poluprovodnikov im. V.E. Lashkareva Natsional'noj Akademii Nauk Ukrainy, Kiev (Ukraine)
Description
The electric conductivity and the low-temperature luminescence of CdTe:Si monocrystals grown by the Bridgman method are investigated. The concentration of Si addition is in the range from 2x1018 up to 5x1019 cm-3. The initial samples of CdTe:Si monocrystals are n- and p-type conductors with the electric conductivity of 2x10-1 - 8x10-9 Ω-1xcm-1. The feature of p-type monocrystals is their annealing at temperature dependence measurements in the temperature range of 300-400 K. The shape of low-temperature (5-20 K) photoluminescence of samples points to their high structural perfection. It is found out that silicon addition does not manifest compensating and stabilizing effects in cadmium tellurides in contrast to Ge,Sn and Pb
Abstract (Russian)
Исследуются электрическая проводимость и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe:Si, выращенных методом Бриджмена. Концентрация легирующей добавки Si изменялась в пределах от 2x1018 до 5x1019 см-3. Исходные образцы монокристаллов CdTe:Si были проводниками n- и p-типа с удельной прводимостью 2x10-1 - 8x10-9 Ом-1xсм-1. Характерной особенностью p-типа монокристаллов является их отжиг в процессе измерения температурных зависимостей в интервале температур 300-440 К. Вид спектров низкотемпературной (5-20 К) фотолюминесценции образцов указывает на их высокое структурное совершенство. Установлено, что примесь кремния не оказывает в теллуридах кадмия компенсирующего и стабилизирующего действия в отличие от Ge, Sn и PbAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированных Si
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 40
- Journal Issue
- 2
- Journal Page Range
- p. 148-152
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 38046790
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Numerical Data
- Descriptors DEI
- ANNEALING; BRIDGMAN METHOD; CADMIUM TELLURIDES; ELECTRIC CONDUCTIVITY; EMISSION SPECTRA; EXPERIMENTAL DATA; MONOCRYSTALS; N-TYPE CONDUCTORS; P-TYPE CONDUCTORS; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON ADDITIONS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K
- Descriptors DEC
- ALLOYS; CADMIUM COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; CRYSTAL GROWTH METHODS; CRYSTALS; DATA; ELECTRICAL PROPERTIES; EMISSION; HEAT TREATMENTS; INFORMATION; LUMINESCENCE; MATERIALS; NUMERICAL DATA; PHOTON EMISSION; PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON ALLOYS; SPECTRA; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 18 refs., 3 figs., 1tab.