Formation of defects in tellurium at various levels of gravitation
Creators
- 1. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe RAN, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 2. Inst. Metallurgii i Materialovedeniya im. A.A. Bajkova RAN, Moscow (Russian Federation)
- 3. NPO Kompozit, Korolev, Moskovskaya Obl. (Russian Federation)
Description
One investigated into effect of gravitation conditions during tellurium crystallization (ranging from microgravitation up to increased gravitation - 5g0) on concentration of neutral (ND) and electrically active (NAD) acceptor structure defects in specimens grown both under complete remelting of parent ingot and under directed recrystallization of ingot with inoculation. NAD and ND concentrations and their distribution along the specimen depth were determined on the basis of analysis of electrical characteristics (conductivity and the Hall effect) measured along ingots within 1.6-300 K temperature range. The results were compared with characteristics of specimens grown following the similar program under normal conditions. At complete remelting under microgravitation one detected attributes of strong supercooling and spontaneous crystallization, as well as, of specimen resistance oscillation by its depth caused by ND modulation
Abstract (Russian)
Исследовано влияние гравитационных условий во время кристаллизации теллура (от микрогравитации до повышенной гравитации - 5g0) на концентрацию нейтральных (ND) и электрически активных (NAD) структурных дефектов акцепторного типа в образцах, выращенных как при полной переплавке исходного слитка, так и при направленной перекристаллизации слитка с затравкой. Концентрации NAD и ND и их распределение по длине образцов определялись из анализа электрических характеристик (проводимость и эффект Холла), измеренных вдоль слитков в интервале температур 1.6-300 К. Результаты сопоставлены с характеристиками образцов, выращенных по аналогичной программе в нормальных условиях. При полной переплавке в условиях микрогравитации обнаружены признаки сильного переохлаждения и спонтанной кристаллизации, а также осцилляции сопротивления образца по его длине, обусловленные модуляцией NDAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Формирование дефектов в теллуре при различных уровнях гравитации
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika Tverdogo Tela
- Journal Volume
- 44
- Journal Issue
- 7
- Journal Page Range
- p. 1190-1197
- ISSN
- 0367-3294
- CODEN
- FTVTAC
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35046229
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- CONCENTRATION RATIO; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTALLIZATION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; GRAVITATION; HALL EFFECT; TELLURIUM; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
- Descriptors DEC
- CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; PHASE TRANSFORMATIONS; PHYSICAL PROPERTIES; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 15 refs., 7 figs., 2 tabs.