Sputtering of silicon and silicon carbide surfaces on bombardment with SFn+ (n = 1-5) ions
- 1. Inst. Ehlektroniki im. U.A. Arifova AN RUz, Tashkent (Uzbekistan)
Description
The SIMS technique is used to study physical and chemical sputtering of silicon and silicon carbide crystal surfaces on irradiation with chemically active molecular ions SF1+-SF5+. Mass composition and yields of sputtered particles are investigated depending on the number of atoms in a bombarding molecule with kinetic energies and target temperatures ranging from 0.1 to 3.0 keV and from 20 to 500 deg C respectively. It is revealed that at the energy ∼ 1 keV chemical sputtering is a leading process on semiconductor surface etching. In an energy range of 1.0-3.0 keV physical sputtering predominates 3-8 times over chemical one. However, the yields of fluorine-containing compounds SinFn+ and CnFn+ exceed those of lattice molecules SinCn+ and cluster ions Sin+. A secondary ion yield is shown to be nonmonotonically dependent on target temperature
Abstract (Russian)
Методом ВИМС исследованы процессы физического и химического распыления поверхности кристаллов кремния и карбида кремния при облучении химически активными молекулярными ионами SF1+-SF5+. Изучены массовый состав и выход распыленных частиц в зависимости от числа атомов в бомбардирующей молекуле в диапазоне кинетических энергий 0.1-3.0 кэВ и температуры мишени 20-500 град С. Установлено, что при энергии ∼ 1 кэВ химическое распыление является основным процессом при травлении поверхности полупроводников. В области энергий 1.0-3.0 кэВ физическое распыление преобладает над химическим в 3-8 раз. Однако, выходы фторсодержащих соединений SinFn+ и CnFn+ превышают выходы решеточных молекул SinCn+ и кластерных ионов Sin+. Установлена немонотонная зависимость выхода вторичных ионов от изменения температуры мишениAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Распыление поверхности кремния и карбида кремния при бомбардировке молекулярными ионами SF
Publishing Information
- Publisher
- Izd-vo MAI
- Imprint Place
- Moscow (Russian Federation)
- ISBN
- 5-7035-1560-2
- Imprint Title
- Book of reports of XVII International conference Ion-surface interactions ISI-2005. Vol. 1
- Imprint Pagination
- 600 p.
- Journal Page Range
- p. 442-445
Conference
- Title
- 17. International conference Ion-surface interactions ISI-2005
- Original Conference Title
- XVII Mezhdunarodnaya konferentsiya Vzaimodejstvie ionov s poverkhnost'yu (VIP-2005)
- Dates
- 25-29 Aug 2005
- Place
- Zvenigorod (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 38067542
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE; S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ENERGY DEPENDENCE; ETCHING; EV RANGE 100-1000; FLUORIDES; ION EMISSION; KEV RANGE 01-10; MOLECULAR IONS; RADIATION EFFECTS; SECONDARY EMISSION; SILICON; SILICON CARBIDES; SPUTTERING; SURFACES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
- Descriptors DEC
- CARBIDES; CARBON COMPOUNDS; CHARGED PARTICLES; ELEMENTS; EMISSION; ENERGY RANGE; EV RANGE; FLUORINE COMPOUNDS; HALIDES; HALOGEN COMPOUNDS; IONS; KEV RANGE; SEMIMETALS; SILICON COMPOUNDS; SURFACE FINISHING; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 2 refs., 3 figs. Imprint:Materialy XVII Mezhdunarodnoj konferentsii Vzaimodejstvie ionov s poverkhnost'yu (VIP-2005). Tom 1