Published February 2002 | Version v1
Journal article Metadata-only

Distribution of charge carriers in dissipative structure of semiconductors

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Dagestanskogo Nauchnogo Tsentra RAN, Makhachkala (Russian Federation)

Description

It has been shown experimentally that redistribution of the charge carrier concentration takes place in the volume of Te and InSb monocrystals under formation and excitation by the strong field of a dissipative structure in nonequilibrium electron-hole plasma. This leads to a situation when the presence of only longitudinal autosolitons in the dissipative structure reduces the charge carrier concentration outside autosolitons while the presence of only transversal autosolitons makes the charge carriers concentration larger. These effects are explained in the following manner: longitudinal autosolitons, occurring in nonequilibrium electron-hole plasma created by the Joule heating are considered as cold and transversal autosolitons are considered as hot ones

Abstract (Russian)

Экспериментально показано, что в объеме монокристаллов Te и InSb при формировании и возбуждении сильным электрическим полем диссипативной структуры в неравновесной электронно-дырочной плазме происходит перераспределение концентрации носителей заряда. При этом, когда в диссипативной структруре реализованы только продольные автосолитоны, концентрация носителей вне автосолитонов понижается, а в случае присутствия поперечных автосолитонов концентрация носителей заряда вне автосолитонов повышается. Предлагается объяснение эффектов: продольные автосолитоны, формирующиеся в созданной джоулевым разогревом неравновесной электронно-дырочной плазме, являются холодными, а поперечные автосолитоны - горячими

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Распределение носителей заряда в диссипативной структуре в полупроводниках

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
36
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 187-191
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
34046515
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
CARRIER DENSITY; CHARGE CARRIERS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC FIELDS; INDIUM ANTIMONIDES; MONOCRYSTALS; SOLID-STATE PLASMA; SOLITONS; SPATIAL DISTRIBUTION; TELLURIUM
Descriptors DEC
ANTIMONIDES; ANTIMONY COMPOUNDS; CRYSTALS; DISTRIBUTION; ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; INDIUM COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; PLASMA; PNICTIDES; QUASI PARTICLES; SEMIMETALS

Optional Information

Notes
20 refs., 4 figs.