Published December 1999 | Version v1
Journal article Metadata-only

Effect of gamma radiation on photoluminescence kinetics in porous silicon

Creators

  • 1. RAN, Fiziko-Tekhnicheskij Inst. im. A.F. Ioffe, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
  • 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Univ., Inst. Fiziki, Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

Effect of gamma radiation upon the photoluminescence decay dynamics in porous silicon is studied. The photoluminescence intensity growth as well as decay time decrease in irradiated porous silicon is explained by lowering barriers for recombination of spatially separated electrons and holes via tunneling. The gamma radiation of porous silicon leads to a sharper dispersion of the decay time

Abstract (Russian)

Исследовано влияние гамма-облучения на релаксацию фотолюминесценции пористого кремния в микросекундном диапазоне. Увеличение интенсивности фотолюминесценции при облучении сопровождается уменьшением времени затухания, что свидетельствует о снижении высоты барьеров при туннелировании пространственно разделенных носителей. Облучение приводит к более резкой дисперсии времени затухания

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние гамма-облучения на кинетику фотолуминесценции пористого кремния

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
33
Journal Issue
12
Journal Page Range
p. 1462-1464
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
31034992
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
CHARGE CARRIERS; GAMMA RADIATION; PHOTOLUMINESCENCE; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; POROSITY; SILICON; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K; TIME DEPENDENCE
Descriptors DEC
ELECTROMAGNETIC RADIATION; ELEMENTS; EMISSION; IONIZING RADIATIONS; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; RADIATION EFFECTS; RADIATIONS; SEMIMETALS; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
15 refs., 4 figs.