Published January 2005 | Version v1
Journal article

Spin effect in the magnetoresistance of n-InxGa1-xAs/GaAs double quantum well, induced by the parallel magnetic field

  • 1. UrO RAN, Inst. Fiziki Metallov, Ekaterinburg (Russian Federation)
  • 2. Fiziko-Tekhnicheskij Inst. Nizhegorodskogo Gosudarstvennogo Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
  • 3. Inst. Van-der-Vaal'sa-Zeemana, Univ. Amsterdama, Amsterdam (Netherlands)

Description

For double quantum wells (DQW) created in the n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≅ 0.18) heterosystem, peculiarities in the parallel magnetic fields induced magnetoresistance caused by passing of the tunnel gap edges through the Fermi level are revealed and investigated. It is shown that spin splitting of the electron energy should be considered for reaching the agreement between the calculated and experimental data

Abstract (Russian)

В магнитном поле, ориентированном параллельно слоям двойных квантовых ям, изготовленных в гетеросистеме n-InxGa1-xAs/GaAs (x ≅ 0.18), обнаружены и исследованы особенности магнитосопротивления, обусловленные прохождением краев туннельной щели через уровень Ферми. Показано, что для достижения согласия расчетных данных с экспериментальными нужно учитывать спиновые расщепления в энергетическом спектре

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Спиновые эффекты в индуцированном параллельным магнитным полем магнитосопротивлении двойной квантовой ямы н-Ин

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
39
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 118-123
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Conference

Title
Nanophotonics-2004
Original Conference Title
Soveshchanie: Nanofotonika-2004
Acronym
Conference
Dates
2-6 May 2004
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Optional Information

Notes
9 refs., 6 figs., 1 tab.