Published September 2006 | Version v1
Journal article

An investigation of positron states and defects in Si irradiated with protons

  • 1. GNTs RF Inst. Teoreticheskoj i Ehksperimental'noj Fiziki im. A.I. Alikhanova, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Moskovskij Gosudarstvennyj Inst. Ehlektronnoj Tekhniki (Tekhnicheskij Univ.), Zelenograd (Russian Federation)

Description

By means of analysis of experimental curves of angular distribution of annihilation of photons (ADAP) for initial and proton irradiated Si specimens as well as by the solution of kinetic equations of formation and annihilation of positron states the concentration of radiation defects in Si has been determined taking into account the partition of ADAP curve intensity into parabolic and Gaussian components

Abstract (Russian)

Методом анализа экспериментальных кривых углового распределения аннигиляционных фотонов (УРАФ) для необлученных и облученных протонами образцов кремния и путем решения кинетических уравнений образования и аннигиляции позитронных состояний по значениям интенсивности параболической и гауссовой компонент кривых УРАФ определены концентрации радиационных дефектов в кремнии

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование позитронных состояний и дефектов в кремнии, облученном протонами

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Khimiya Obrabotki Materialov
Journal Issue
no.5
Journal Page Range
p. 5-12
ISSN
0015-3214
CODEN
FKOMAT

Optional Information

Notes
38 refs., 6 figs., 3 tabs.