Published May 2006
| Version v1
Journal article
Investigation of the Stark effect in In(Ga)As/GaAs quantum dot and well heterostructures by photoelectric spectroscopy technique
Creators
- 1. Nizhegorodskij Gosudarstvennyj Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)
Description
Quantum confined Stark effect in InAs/GaAs quantum dots (QDs) and in InGaAs/GaAs quantum wells (QWs) has been studied by photoelectric spectroscopy. It has been shown that the anomalous dipole moment in the QDs decreases with decreasing GaAs cap layer thickness, and changes its sign at the GaAs cap thickness ≅ 3 nm. This effect was explained by the dependence of the QD dipole moment on the elastic strain in the QDs. The weakly polarizable excitons and the strongly polarizable ones were observed in the QWs at temperatures 50 K. The ratio of the respective concentration of the two kinds of the excitons depends on the temperature and on the QW thickness
Abstract (Russian)
Методом фотоэлектрической спектроскопии исследован квантово-размерный эффект Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми точками InAs/GaAs и квантовыми ямами InGaAs/GaAs. Показано, что аномальный дипольный момент квантовых точек уменьшается при уменьшении толщины покровного слоя GaAs, при толщине этого слоя ≅ 3 нм дипольный момент меняет знак. Такое поведение дипольного момента связывается с его зависимостью от поля упругих напряжений в квантовых точках. Обнаружено, что при температурах ≅ 50 К в квантовых ямах наблюдается генерация сильно и слабо поляризующихся экситонов. Соотношение между их концентрациями зависит от температуры и ширины ямAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Исследование эффекта Штарка в гетеронаноструктурах с квантовыми точками и ямами Ин(Га)Ас/GaAs методом фотоэлектрической спектроскопии
Publishing Information
- Journal Title
- Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
- Journal Issue
- no.5
- Journal Page Range
- p. 25-29
- ISSN
- 1028-0960
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 39021265
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- DIPOLE MOMENTS; EXCITONS; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ARSENIDES; LAYERS; NANOSTRUCTURES; PHOTOSENSITIVITY; QUANTUM DOTS; QUANTUM WELLS; STARK EFFECT; STRESSES; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; THICKNESS
- Descriptors DEC
- ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; DIMENSIONS; GALLIUM COMPOUNDS; INDIUM COMPOUNDS; NANOSTRUCTURES; PNICTIDES; QUASI PARTICLES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SENSITIVITY; TEMPERATURE RANGE
Optional Information
- Notes
- 12 refs., 5 figs.