Disorder accumulation in silicon irradiated with PFn+ cluster ions with a middle energy
Creators
- 1. Gosudarstvennoe Unitarnoe Nauchno-Proizvadstvennoe Predpriyatie Ehlektron-Optronik, Sankt-Peterburg (Russian Federation)
- 2. Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Politekhnicheskij Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)
Description
The disorder accumulation in silicon irradiated at room temperature with atomic P+, F+ and PF+ cluster (n = 1 ... 4) ions with the energy E = 2.1 keV/amu and equal generation rate of primary defects are studied by Rutherford backscattering spectroscopy in channeling mode. The results show that the disorder accumulation in Si under irradiation by cluster ions PFn+ considerably differ from irradiation both with atomic ions (P+ and F+) which comprise the cluster ion and bombardment by heavy ions with mass comparable to the mass of PFn+. It is also demonstrated that cluster ions produce significantly higher disorder than atomic ions in similar irradiation conditions. Thus, the molecular effect takes place. Possible mechanisms of the phenomenon are discussed
Abstract (Russian)
С помощью метода спекторометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре при облучении атомарными ионами P+, F+, а также кластерными ионами PFn+ (n = 1... 4) с энергией 2.1 кэВ/аем и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае облучения ионами PFn+ существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+ и F+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющими атомную массу, близкую к массе кластеров PFn+. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, то есть наблюдается молекулярный эффект. Обсуждаются возможные механизмы данного явленияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Накопление структурных нарушений в кремнии при облучении кластерными ионами PF
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 41
- Journal Issue
- 1
- Journal Page Range
- p. 7-12
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 39021419
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Numerical Data
- Descriptors DEI
- ATOMIC IONS; BORON ADDITIONS; CHANNELING; DEPTH; DIAGRAMS; EXPERIMENTAL DATA; FLUORINE IONS; ION IMPLANTATION; ION PAIRS; PHOSPHORUS IONS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; RUTHERFORD BACKSCATTERING SPECTROSCOPY; SILICON; SPATIAL DISTRIBUTION; VACANCIES
- Descriptors DEC
- ALLOYS; BORON ALLOYS; CHARGED PARTICLES; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; DATA; DIMENSIONS; DISTRIBUTION; ELEMENTS; INFORMATION; IONS; NUMERICAL DATA; POINT DEFECTS; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS; SPECTROSCOPY
Optional Information
- Notes
- 32 refs., 2 figs.