Published June 2004 | Version v1
Journal article

Exciton states spectroscopy of InAs quantum molecules

  • 1. Max-Planck-Inst. fuer Mikrostrukturphysik, Halle (Saale) (Germany)
  • 2. Max-Born-Inst. fuer Nichtlineare und Kurzzeitspektroskopie, Berlin (Germany)
  • 3. Inst. Fiziki im. V.A. Foka, Sankt-Peterburgskij Gosudarstvennyj Univ., Sankt-Peterburg (Russian Federation)

Description

Tunnel coupled pairs of InAs quantum dots (quantum molecules) were grown by the molecular beam epitaxy in a GaAs matrix. The investigation of optical and structural properties of obtained quantum molecules was carried out. Four molecular exciton states forming photoluminescence spectrum were observed. The photoluminescence decay times indicate the possibility of the interlevel radiative recombination from the second excited state

Abstract (Russian)

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии синтезированы туннельно-связанные пары квантовых точек (квантовые молекулы) InAs в матрице GaAs. Проведено исследование структурных и оптических свойств полученных квантовых молекул. Обнаружены четыре экситонных состояния молекул, формирующих спектр фотолюминесненции. Времена спада фотолюминесценции указывают на вероятность межуровневой излучательной рекомбинации со второго возбужденного состояния

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Спектроскопия экситонных состояний квантовых молекул InAs

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
38
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 723-728
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

Optional Information

Notes
18 refs., 5 figs.