Published December 1999 | Version v1
Journal article

Estimation of the depth of the energy levels formed by dopant elements of group 2 and 6 in semiconductors

Creators

  • 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Institut Ehlektronnoj Tekhniki (Tekhnicheskij Univ.), Moscow (Russian Federation)

Description

A mathematical expression permitting evaluation of deep donor and acceptor levels position in a semiconductor forbidden zone proceeding from the values of interaction energy of alloying element atom polarization charge with electric field of A3+B5+ type compounds is derived. The expression permitted calculation of energy values of the deep levels formed by zinc, cadmium and tellurium in InP, GaAs, AlSb, GaSb compounds, which agree well with experimental data

Abstract (Russian)

Получено математическое выражение, позволяющее оценить положение глубоких донорных и акцепторных уровней в запрещенной зоне полупроводника, исходя из значения энергии взаимодействия заряда поляризации атомов легирующих элементов с электрическим полем соединений типа A3+B5+. С помощью полученного выражения рассчитаны значения энернгий глубоких уровней, образуемых цинком, кадмием и теллуром в соединениях InP, GaAs, AlSb, GaSb, которые хорошо согласуются с экспериментальными данными

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Оценка глубины энергетических уровней, образуемых элементами 2 и 6 групп, при легировании полупроводников

Publishing Information

Journal Title
Zhurnal Fizicheskoj Khimii
Journal Volume
73
Journal Issue
12
Journal Page Range
p. 2251-2253
ISSN
0044-4537
CODEN
ZFKHA9

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
31037447
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
CADMIUM COMPOUNDS; CALCULATION METHODS; DOPED MATERIALS; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY LEVELS; INDIUM PHOSPHIDES; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TELLURIUM COMPOUNDS
Descriptors DEC
INDIUM COMPOUNDS; MATERIALS; PHOSPHIDES; PHOSPHORUS COMPOUNDS; PNICTIDES

Optional Information

Notes
19 refs., 2 tabs.