Published March 2004 | Version v1
Journal article Metadata-only

Stark's confinement effect and electrical absorption in the semiconductor spherical layer

Creators

  • 1. Gyumrijskij Obrazovatel'nyj Kompleks Gosudarstvennogo Inzhenernogo Univ. Armenii, Gyumri (Armenia)
  • 2. Artsakhskij Gosudarstvennyj Univ., Artsakhi (Armenia)

Description

The effect of the uniform external electric field on the charge carriers state in the quantum spherical layers is considered. The energy shift dependence value on the external field intensity and the sample geometrical dimensional is obtained. The electro-optical absorption coefficient for the interzonal dipole transitions calculated

Abstract (Russian)

Рассмотрено влияние однородного внешнего электрического поля на состояния носителей заряда в квантованном сферическом слое. Получена зависимость величины энергетического сдвига от напряженности внешнего поля и геометрических размеров образца. Рассчитан коэффициент электрооптического поглощения для межзонных дипольных переходов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Размерный эффект Штарка и электропоглощение в полупроводниковом сферическом слое

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
38
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 349-353
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37046351
Subject category
S72: PHYSICS OF ELEMENTARY PARTICLES AND FIELDS;
Descriptors DEI
ELECTRIC FIELDS; ENERGY-LEVEL TRANSITIONS; PERTURBATION THEORY; QUANTIZATION; SPHERICAL CONFIGURATION; STARK EFFECT
Descriptors DEC
CONFIGURATION

Optional Information

Notes
16 refs., 1 tab.