Published April 2003
| Version v1
Journal article
Levels of vacancies and interstitial atoms in the forbidden gap of silicon
Description
The nature of established earlier energy levels (E1, E2, E3 and E4) of elementary primary defects in silicon is determined. The differentiation of energy levels in the forbidden gap of silicon is carried out on the basis of secondary processes of the radiation defect formation with participation of charge-dependent selective traps for free vacancies and interstitial atoms. It is established that interstitial atoms of silicon have energy levels E3 ∼ Ec - 0.44 eV and E2 ∼ Ec - 0.86 eV but energy levels E1 ∼ Ec - 0.28 eV and E4 ∼ Ec - 0.65 eV belong to free vacancies
Abstract (Russian)
Определена природа ранее найденных энергетических уровней (E1, E2, E3 и E4) элементарных первичных дефектов в кремнии. Дифференциация энергетических уровней в запрещенной зоне кремния выполнена на основе анализа вторичных процессов радиационного дефектообразования с участием зарядово-зависимых ловушек для свободных вакансий и межузельных атомов. Установлено, что собственные межузельные атомы кремния имеют энергетические уровни Е3 ∼ Ec - 0.44 эВ и E2 ∼ Ec - 0.86 эВ, а свободным вакансиям принадлежат энергетические уровни E1 ∼ Ec - 0.28 эВ и E4 ∼ Ec - 0.65 эВAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Уровни вакансий и межузельных атомов в запрещенной зоне кремния
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 37
- Journal Issue
- 4
- Journal Page Range
- p. 422-431
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 36009149
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- BAND THEORY; ELECTRON BEAMS; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY LEVELS; INTERSTITIALS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SILICON; VACANCIES
- Descriptors DEC
- BEAMS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; ELEMENTS; LEPTON BEAMS; PARTICLE BEAMS; POINT DEFECTS; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS
Optional Information
- Notes
- 47 refs., 6 figs.