Published February 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Effect of Si/SiOx interface formation on photoluminescence properties of Si-SiO2 structures

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Poluprovodnikov NAN Ukrainy, Kiev (Ukraine)

Description

The results of the studies on the silicon small-dimension structures through the optical methods and electron paramagnetic resonance method are presented. It is shown, that presence of the quantum-dimensional crystallites does not constitute the sufficient condition for the existence of the photoluminescence red band. It is shown, that the red band origination and growth of its intensity by oxidation are not linked with the passivation of the silicon broken bonds (the centers of the nonemission recombination) and with the change in the silicon crystallite dimensions, but it is conditioned by the Si/SiOx interface formation

Abstract (Russian)

Представлены результаты исследований кремниевых низкоразмерных структур оптическими методами и методом электронного парамагнитного резонанса. Показано, что присутствие квантово-размерных кристаллитов, пассивированных водородом, не является достаточным условием для существования красной полосы фотолюминесценции. Показано, что возникновение красной полосы и рост ее интенсивности при окислении не связаны с пассивацией оборванных связей кремния (центров безызлучательной рекомбинации) и изменением размеров кремниевых кристаллитов, а обусловлено формированием интерфейса Si/SiOx

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние формирования интерфейса Си/SiO

Publishing Information

Journal Title
Izvestiya Akademii Nauk. Rossijskaya Akademiya Nauk. Seriya Fizicheskaya
Journal Volume
67
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 219-222
ISSN
1026-3489
CODEN
IRAFEO

Conference

Title
The workshop Nanophotonics
Original Conference Title
Soveshchanie Nanofotonika
Dates
Mar 2002
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
35057040
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference
Descriptors DEI
AGING; ANNEALING; ELECTRON SPIN RESONANCE; EXCITONS; INTERFACES; OXIDATION; PHOTOLUMINESCENCE; POINT DEFECTS; SILICA; SILICON
Descriptors DEC
CHEMICAL REACTIONS; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; ELEMENTS; EMISSION; HEAT TREATMENTS; LUMINESCENCE; MAGNETIC RESONANCE; MINERALS; OXIDE MINERALS; PHOTON EMISSION; QUASI PARTICLES; RESONANCE; SEMIMETALS

Optional Information

Notes
14 refs., 3 figs.