Published August 25, 2010
| Version v1
Journal article
Effect of crimping the heteroboundary on polarization anisotropy of photoluminescence of GaAs/AlAs (311) superlattices with short period
Creators
- 1. Inst. Sensornoj Mikroehlektroniki Sibirskogo Otdeleniya RAN, Omsk (Russian Federation)
- 2. Inst. Fiziki Poluprovodnikov Sibirskogo Otdeleniya RAN, Novosibirsk (Russian Federation)
Description
When studying GaAs/AlAs superlattices containing a group of quantum wire, the phenomenon of polarization anisotropy of photoluminescence observed for samples with GaAs layer thickness less than 21 A was revealed. It is ascertained that the nature of polarization for thickness in excess of 40 A is mainly explained by anisotropy of valency area, whereas at thickness below 21 A - equally by valency area anisotropy and anisotropy stemming from heteroboundary corrugation. The conclusion was made that in GaAs/AlAs superlattices with GaAs layer thickness less than 21 A the blueshift is observed, while at a thickness exceeding 43 A - redshift
Abstract (Russian)
При исследовании GaAs/AlAs сверхрешеток, содержащих массив квантовых проволок, обнаружено явление поляризационной анизотропии фотолюминесценции, которое наблюдается для образцов с толщиной GaAs слоев менее 21 А. Установлено, что природа поляризации для толщин более 40 А объясняется в основном анизотропией валентной зоны, в то время как при толщинах менее 21 А - в одинаковой мере как анизотропией валентной зоны, так и анизотропией, связанной с корругацией гетерограницы. Сделан вывод, что в GaAs/AlAs сверхрешетках с толщиной GaAs слоя менее 21 А наблюдается blueshift, а при толщине более 43 А - redshiftAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Влияние гофрировки гетерограницы на поляризационную анизотропию фотолюминесценции от (311) GaAs/AlAs сверхрешеток с коротким периодом
Publishing Information
- Journal Title
- Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
- Journal Volume
- 72
- Journal Issue
- 3-4
- Journal Page Range
- p. 294-299
- ISSN
- 0370-274X
- CODEN
- PZETAB
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 32047270
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- ALUMINIUM ARSENIDES; ANISOTROPY; BAND THEORY; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; LATTICE PARAMETERS; PHOTOLUMINESCENCE; SPIN ORIENTATION; SUPERLATTICES; THICKNESS
- Descriptors DEC
- ALUMINIUM COMPOUNDS; ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; DIMENSIONS; EMISSION; GALLIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; ORIENTATION; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS
Optional Information
- Notes
- 12 refs., 4 figs.