Published January 2005 | Version v1
Journal article Metadata-only

Effect of Ge deposition rate on growth and photoluminescence of self-forming Ge(Si)/Si(001) islets

Creators

  • 1. RAN, Inst. Fiziki Mikrostruktur, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Paper presents the results of studies devoted to growth and photoluminescence (PL) of self-forming Ge(Si)/Si(001) islets obtained within wide range of deposition rates (vGE = 0.1-0.75 A/s) under T = 600 deg C temperature. It is found that the lateral size of islets decreases while their surface density increases with increase of vGe. Reduction of the lateral size results both from increase of Ge content in islets and from increase of the surface part occupied by them. The detected shift of PL peak position towards lower energy range is due to increase of Ge content in islets with increase of vGe

Abstract (Russian)

Представлены результаты исследований роста и фотолюминесценции (ФЛ) самоформирующихся островков Ge(Si)/Si(001), полученных в широком интервале скоростей (vGE = 0.1-0.75 А/с) осаждения Ge при температуре Т = 600 град С. Обнаружено, что латеральный размер островков уменьшается, а их поверхностная плотность растет с увеличением vGe. Уменьшение латерального размера связывается как с увеличением содержания Ge в островках, так и с увеличением доли поверхности, занятой ими. Обнаруженное смещение положения пика ФЛ в область меньших энергий также объясняется повышением содержания Ge в островках при увеличении vGe

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние скорости осаждения Ге на рост и фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ге(Си)/Си(001)

Publishing Information

Journal Title
Fizika Tverdogo Tela
Journal Volume
47
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 41-43
ISSN
0367-3294
CODEN
FTVTAC

Conference

Title
Nanophotonics-2004
Original Conference Title
Soveshchanie: Nanofotonika-2004
Acronym
Conference
Dates
2-6 May 2004
Place
Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37104458
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Resource subtype / Literary indicator
Conference, Numerical Data
Descriptors DEI
CONCENTRATION RATIO; DIAGRAMS; EMISSION SPECTRA; EXPERIMENTAL DATA; GERMANIUM; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON ADDITIONS; SURFACE PROPERTIES; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
Descriptors DEC
ALLOYS; CRYSTAL GROWTH METHODS; DATA; DIMENSIONLESS NUMBERS; ELEMENTS; EMISSION; EPITAXY; INFORMATION; LUMINESCENCE; METALS; NUMERICAL DATA; PHOTON EMISSION; SILICON ALLOYS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
11 refs., 3 figs.