Published November 2000
| Version v1
Journal article
Quasi-localized states and peculiarities of resonance scattering of particles on defects in semiconductor crystals with band structure of energy spectrum
Description
Peculiarities of the particle-plane defect interaction in semiconductor crystals are investigated within the framework of the band energy spectrum. It is shown that generalized localized states exist at defects. In the system under consideration a non-square energy-momentum interrelationship leads to quasi-localized state appearance. Peculiarities of the particle scattering at semiconductor interfaces are analyzed. The total reflection phenomenon may occur if the coincidence of the incident particle energy and the quasi-localized state energy takes place. It is found that a weak dissipation of the particle energy in the crystal leads to the instability of the resonance condition of the total reflection
Abstract (Russian)
Изучены особенности взаимодействия частиц с плоским дефектом в полупроводниковом кристалле на основе модели зонного энергетического спектра. Показано, что вблизи дефекта существуют обобщенные локализованные состояния. Неквадратичность закона дисперсии в рассматриваемой системе приводит к появлению квазилокальных состояний. Проанализированы особенности рассеяния частиц на границе раздела полупроводниковых кристаллов. Полное отражение от границы раздела возможно при условии, когда энергия налетающей частицы совпадает с энергией квазилокального состояния. Установлено, что слабая диссипация энергии частиц в кристалле приводит к неустойчивости резонансного условия полного отраженияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Квазилокальные состояния и особенности резонансного рассеяния частиц дефектами в полупроводниковых кристаллах, обладающих зонной структурой энергетического спектра
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 34
- Journal Issue
- 11
- Journal Page Range
- p. 1333-1338
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 33005265
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- BAND THEORY; BOUNDARY-VALUE PROBLEMS; CRYSTAL DEFECTS; DISPERSION RELATIONS; EIGENSTATES; ENERGY SPECTRA; INTERFACES; QUASI PARTICLES; RESONANCE SCATTERING; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TWO-DIMENSIONAL CALCULATIONS
- Descriptors DEC
- CRYSTAL STRUCTURE; INELASTIC SCATTERING; MATERIALS; SCATTERING; SPECTRA
Optional Information
- Notes
- 14 refs., 2 figs.