Published February 2000 | Version v1
Journal article Metadata-only

Effect of pressure and anionic substitution on the electrical properties of HgTeS crystals

Creators

  • 1. Inst. Fiziki Metallov Ural'skogo Otdeleniya Rossijskoj Akademii Nauk, Ekaterinburg (Russian Federation)

Description

The effect of anion substitution and hydrostatic pressure on electrical and galvanomagnetic properties of the HgTe1-xSx crystals is studied within the wide range of compositions (0 < x < 1) in the temperature interval 4.2-350 K in the magnetic fields up to 14 T. It is established, that the samples with x ≤ 0.20 have the diminishing dependence ρ(T), characteristic of slit-less semiconductors. The change in the sign of the temperature coefficient ρ(T) at T = 265 and T > 300 K is determined in the semiconductor crystals correspondingly. It is shown, that replacement of Te by sulfur atoms increases the electron concentration and decreases their mobility

Abstract (Russian)

Исследовано влияние анионного замещения и гидростатического давления на электрические и гальваномагнитные свойства кристаллов HgTe1-xSx в широком диапазоне составов (0 < x < 1) в интервале температур 4,2-350 К в магнитных полях до 14 Т. Установлено, что образцы с x ≤ 0,20 имеют убывающую зависимость ρ(T), свойственную бесщелевым полупроводникам. В полупроводниковых кристаллах с х ∼ 0,20 и х ∼ 0,14 обнаружено изменение знака температурного коэффициента ρ(T) при Т=265 и Т > 300 K соответственно. Показано, что замещение Te атомами серы увеличивает концентрацию электронов и снижает их подвижность

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Влияние давления и анионного замещения на электрические свойства кристаллов HgTeS

Publishing Information

Journal Title
Fizika Tverdogo Tela
Journal Volume
42
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 210-217
ISSN
0367-3294
CODEN
FTVTAC

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
32007617
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
CRYSTALS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; HALL EFFECT; MAGNETIC FIELDS; MERCURY SULFIDES; MERCURY TELLURIDES; PRESSURE DEPENDENCE; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K; TEMPERATURE RANGE 0273-0400 K
Descriptors DEC
CHALCOGENIDES; ELECTRICAL PROPERTIES; MATERIALS; MERCURY COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; SULFIDES; SULFUR COMPOUNDS; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
35 refs., 5 figs., 1 tab.