Published February 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Unconventional magnetoresistance in long InSb nanowires

Creators

  • 1. RAS, Inst. of Radioengineering and Electronics, Moscow (Russian Federation)
  • 2. RAS, A.F. Ioffe Physical-Technical Inst., Sankt-Petersburg (Russian Federation)
  • 3. Centre de Recherches sur Les Tres Basses Temperatures, Grenoble (France)

Description

Magnetoresistance in long nanowires of degenerate semiconductor InSb in asbestos matrix (wire diameter of around 5 nm, length 0.1-1 mm) is studied over temperature range 2.3-300 K. It is revealed that at zero magnetic field the electric conductivity G and the volt-ampere characteristics of such wires obey the power laws G ∝ Tα, I ∝ Vβ, expected for one-dimensional electron systems. The effect of magnetic field corresponds to a 20% growth of the exponents α, β at H = 10 T. It is concluded that the observed magnetoresistance is caused by the magnetic-field-induced breaking of the spin-charge separation and represents a novel mechanism of magnetoresistance

Abstract (Russian)

В температурном интервале 2.3-300 К проведено исследование магнитного сопротивления протяженных нанопроволок из вырожденного полупроводника InSb в асбестовой матрице (диаметр проволоки около 5 нм, длина 0.1-1 мм). Обнаружено, что при нулевом магнитном поле электропроводность G и вольт-амперные характеристики таких проволок подчиняются степенным законам G ∝ Tα, I ∝ Vβ, ожидаемым для одномерных электронных систем. Воздействие магнитного поля соответствует 20%-ному росту показателей α, β при Н = 10 Т. Сделан вывод, что наблюдаемое магнитное сопротивление вызвано инициированным магнитным полем нарушением спинозарядового расстояния и дает представление о новом механизме возникновения магнитного сопротивления

Additional details

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki
Journal Volume
77
Journal Issue
3-4
Journal Page Range
p. 162-166
ISSN
0370-274X
CODEN
PZETAB

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
36052004
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
ASBESTOS; COMPOSITE MATERIALS; DIMENSIONS; FILAMENTS; GRAIN SIZE; INDIUM ANTIMONIDES; MAGNETIC FIELDS; MAGNETORESISTANCE; SEMICONDUCTOR MATERIALS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
Descriptors DEC
ANTIMONIDES; ANTIMONY COMPOUNDS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; INDIUM COMPOUNDS; MATERIALS; MICROSTRUCTURE; PHYSICAL PROPERTIES; PNICTIDES; SIZE; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
24 refs., 5 figs.