Low-temperature strain relaxation in SiGe/Si heterostructures irradiated with Ge+ ions
Creators
- 1. RAN, Inst. Problem Tekhnologii Mikroehlektroniki i Osobochistykh Materialov, Chernogolovka, (Russian Federation)
- 2. RAN, Inst. Fiziki Tverdogo Tela RAN, Chernogolovka, (Russian Federation)
- 3. RAN, Inst. Khimicheskikh Problem Mikroehlektroniki, Moscow (Russian Federation)
- 4. Giredmet, Moscow (Russian Federation)
Description
Pseudomorphic Si0.76Ge0.24/Si heterostructures grown by molecular beam epitaxy were irradiated with 350 keV Ge+ ions at a temperature of 400 deg C a way that an energy-loss peak was located in the Si substrate, below the SiGe/Si interface. The effect of ion implantation on strain relaxation and defect structure formed upon postimplantation annealing was studied. It was found that annealing at a temperature as low as 600 deg C resulted in a very high degree of strain relaxation in the heterostructures, so that the density of threading dislocations in the SiGe layer would remain low (< 105 cm-2). Obtained results allowed to propose a method for preparation of thin highly relaxed SiGe layers on Si with low threading dislocation density and good surface morphology
Abstract (Russian)
Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24/Si, изотовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400 град С таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe/Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600 град С позволяет получить очень высокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (< 105 см-2). Полученные результаты позволяют предложить метод изготовления тонких слоев SiGe на Si с высокой степенью релаксации, низкой плотностью прорастающих дислокаций и хорошей морфологией поверхностиAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Низкотемпературная релаксация упругих напряжений в SiGe/Си-гетероструктурах, облученных ионами Ге
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 38
- Journal Issue
- 3
- Journal Page Range
- p. 325-330
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 37046347
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- GERMANIUM COMPOUNDS; GERMANIUM IONS; GERMANIUM SILICIDES; HETEROJUNCTIONS; KEV RANGE 100-1000; RELAXATION; SILICON; TEMPERATURE RANGE
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLES; ELEMENTS; ENERGY RANGE; GERMANIUM COMPOUNDS; IONS; KEV RANGE; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SEMIMETALS; SILICIDES; SILICON COMPOUNDS
Optional Information
- Notes
- 22 refs., 5 figs.