Published January 26, 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Features of manifestation of the long-range action in As-Ga transistor structures under combined action by different mass ions

Creators

  • 1. Nizhegorodskij Gosudarstvennyj Univ. im. N.I. Lobachevskogo, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Anomalous differences in measurements of distribution profiles of charge carriers concentration over the depth of active regions of arsenide-gallium structures after irradiation on the side of substrate by molecular hydrogen and argon ions, separately and in a combined sequence, were detected. The greatest effect of irradiation was observed in the structures with increase content of defects in the buffer layer. The results are explained by restructuring of impurity-defective complexes near interfaces induced by elastic waves appearing due to relaxation of displacement peaks in the area of ion braking

Abstract (Russian)

Обнаружены аномальные различия в измерениях профилей распределения концентрации носителей заряда по глубине активных областей арсенидгаллиевых структур после облучения со стороны подложки ионами молекулярного водорода и аргона раздельно и в комбинированной последовательности. Наибольший эффект от облучения наблюдался на структурах с повышенным содержанием дефектов в буферном слое. Результаты объясняются перестройкой примесно-дефектных комплексов вблизи интерфейсов под действием упругих волн, возникающих при релаксации пиков смещений в зоне торможения ионов

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Особенности проявления эффекта дальнодействия в арсенидгаллиевых транзисторных структурах при комбинированном облучении ионами различных масс

Publishing Information

Journal Title
Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
Journal Volume
29
Journal Issue
2
Journal Page Range
p. 30-34
ISSN
0320-0116
CODEN
PZTFDD

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
35054567
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
ARGON IONS; CARRIER DENSITY; CHARGE CARRIERS; CRYSTAL DEFECTS; GALLIUM ARSENIDES; HYDROGEN IONS 2 PLUS; INTERACTION RANGE; INTERFACES; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SPATIAL DISTRIBUTION; TRANSISTORS
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; CATIONS; CHARGED PARTICLES; CRYSTAL STRUCTURE; DISTANCE; DISTRIBUTION; GALLIUM COMPOUNDS; HYDROGEN IONS; IONS; MOLECULAR IONS; PNICTIDES; RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR DEVICES

Optional Information

Notes
6 refs., 1 fig., 1 tab.