Published March 2006
| Version v1
Journal article
Angular distribution of germanium atoms sputtered by low energy argon ions
- 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Fizicheskij Fakul'tet, Moscow (Russian Federation)
- 2. NIIYaF Moskovskogo Gosudarstvennogo Univ. im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)
Description
The angular distributions of Ge atoms sputtered by 1-10 keV Ar+ ions have been studied experimentally and by computer simulation. It was found that the experimental distributions could be approximated well by the cosnθ function with n ≅ 1.7. This n value is predominantly higher than that found for Si. The backscattering of primary ions was suggested to lead to the preferential emission of recoils near the surface normal. A strong deviation of the results from theoretical predictions was noted
Abstract (Russian)
Экспериментально и с помощью компьютерного моделирования исследовалось угловое распределение атомов, распыленных при бомбардировке Ge ионами Ar+ с энергией 1-10 кэВ. Установлено, что экспериментальное угловое распределение хорошо аппроксимируется функцией cosnθ при n ≅ 1.7. Это значение показателя степени заметно выше значения n для Si, найденного в предыдущих экспериментах. Это связано с обратным рассеянием бомбардирующих ионов на атомах германия, что способствует эмиссии атомов отдачи в направлении нормали к поверхности. Отмечено сильное расхождение полученных результатов с теоретическими оценками, выполненными без учета эффекта обратного рассеянияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Угловое распределение атомов при распылении германия ионами аргона низких энергий
Publishing Information
- Journal Title
- Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
- Journal Issue
- no.3
- Journal Page Range
- p. 32-35
- ISSN
- 1028-0960
Conference
- Title
- XXXV International conference on physics of interaction of charged particles with crystals
- Original Conference Title
- XXXV Mezhdunarodnaya konferentsiya po fizike vzaimodejstviya zaryazhennykh chastits s kristallami
- Dates
- 27-29 May 2005
- Place
- Moscow (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 38055964
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ANGULAR DISTRIBUTION; ARGON IONS; ATOMS; BACKSCATTERING; COMPARATIVE EVALUATIONS; COMPUTERIZED SIMULATION; ENERGY DEPENDENCE; GERMANIUM; ION IMPLANTATION; KEV RANGE 01-10; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SECONDARY EMISSION; SPUTTERING
- Descriptors DEC
- CHARGED PARTICLES; DISTRIBUTION; ELEMENTS; EMISSION; ENERGY RANGE; EVALUATION; IONS; KEV RANGE; METALS; RADIATION EFFECTS; SCATTERING; SIMULATION
Optional Information
- Notes
- 14 refs., 5 figs.