Published June 2000 | Version v1
Journal article Metadata-only

Investigation of InxGa1-xAs/GaAs quantum wells by means of the low temperature photoluminescence and X-ray diffractometry

Creators

  • 1. Fizicheskij Inst. im. P.N. Lebedeva Rossijskoj Akademii Nauk, Moscow (Russian Federation)
  • 2. Inst. Kristallografii Rossijskoj Akademii Nauk, Moscow (Russian Federation)
  • 3. Inst. Radiotekhniki i Ehlektroniki Rossijskoj Akademii Nauk, Moscow (Russian Federation)
  • 4. Fiziko-Tekhnologicheskij Inst. Rossijskoj Akademii Nauk, Moscow (Russian Federation)

Description

The complex investigation of heterostructures InxGa1-xAs/GaAs is performed for the purpose of defining the main parameters of quantum wells of different widths (3-13.5 nm) and for 0.08 ≤ x ≤ 0.25. Samples heterostructures with quantum wells are grown by molecular beam epitaxy. The studies of structural parameters of layers are carried out by photoluminescence and two-crystal X-ray diffraction. The relation of the energy location of photoluminescence lines of quantum wells and the inhomogeneity of their composition is found. The calculations of e1-hh1 transition energies are made for grown quantum wells by means of the empirical expression for the width of the forbidden band of the quantum well of InGaAs/GaAs as depending on X. Calculation results of photoluminescence spectra taking into account the binding energy of exciton in the two-dimensional layer are in good agreement with the experiment

Abstract (Russian)

Комплексное исследование гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs проведено с целью нахождения основных параметров квантовых ям различной ширины (3-13,5 нм) и при изменении х в пределах от 0,08 и до 0,25. Образцы гетероструктур с квантовыми ямами выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследования структурных параметров слоев проводились методами фотолюминесценции и двухкристальной рентгеновской дифрактометрии. Установлена связь энергетического положения линий фотолюминесценций квантовых ям с неоднородностью их состава. Проведены расчеты энергий переходов e1-hh1 выращенных квантовых ям с помощью эмпирического выражения для величины запрещенной зоны квантовой ямы InGaAs/GaAs в зависимости от х. Результаты расчета спектров фотолюминесценций с учетом энергии связи экситона в двумерном слое хорошо согласуются с экспериментальными данными

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование квантовых ям Ин

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
34
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 719-725
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
32022494
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
BAND THEORY; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTRONIC STRUCTURE; ENERGY GAP; EXCITONS; GALLIUM ARSENIDES; HETEROJUNCTIONS; INDIUM ARSENIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOLUMINESCENCE; QUANTUM ELECTRONICS; SOLID SOLUTIONS; X-RAY DIFFRACTION
Descriptors DEC
ARSENIC COMPOUNDS; ARSENIDES; COHERENT SCATTERING; CRYSTAL GROWTH METHODS; DIFFRACTION; DISPERSIONS; EMISSION; EPITAXY; GALLIUM COMPOUNDS; HOMOGENEOUS MIXTURES; INDIUM COMPOUNDS; LUMINESCENCE; MIXTURES; PHOTON EMISSION; PNICTIDES; QUASI PARTICLES; SCATTERING; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SOLUTIONS

Optional Information

Notes
17 refs., 5 figs., 2 tabs.