Published January 2003 | Version v1
Journal article Metadata-only

Electrical activity of dislocations and point defects of deformation origin in CdxHg1-xTe crystals

Creators

  • 1. NAN Ukrainy, Inst. Fiziki Poluprovodnikov, Kiev (Ukraine)

Description

The influence of deformation-induced defects on kinetic coefficients in CdxHg1-xTe crystals is investigated in a temperature range of 4.2-300 K and magnetic fields to 70 kOe. An attempt is made to determine the type of defects formed on plastic deformation of the crystal and the electrical activity of such defects. Plastic deformation of single crystals is carried out by the method of uniaxial compression at T = 300 K. It is revealed that in n-type crystals the mobility of electrons decreases with their concentration increase. In p-type crystals in a range of 4.2-40 K a transition is observed from activation conductivity to metallic one, a sign-variable behaviour of Hall coefficient tales place depending on temperature and magnetic field. An explanation of the data obtained is proposed within the framework of the concept of formation of connected channels of apposite type conductivity in the form of a three-dimensional dislocation net in the matrix of the crystal

Abstract (Russian)

Исследовано влияние деформационных дефектов на кинетические коэффициенты CdxHg1-xTe в диапазоне температур 4.2-300 К и магнитных полей до 70 кЭ. Сделана попытка установить тип дефектов, образованных при пластическом течении кристалла и определить электрическую активность таких дефектов. Пластическая деформация монокристаллов осуществлялась методом одноосного сжатия при Т = 300 К. Установлено, что в кристаллах n-типа наряду с заметным ростом концентрации электронов ученьшается их подвижность. В кристаллах р-типа в диапазоне 4.2-40 К наблюдаются переход от активационной проводимости к металлической и знакопеременное поведение коэффициента Холла в зависимости от температуры и магнитного поля. Предложено объяснение полученных данных в рамках представлений о формировании в матрице основного кристалла связанных каналов проводимости протиповоположного типа в виде трехмерной дислокационной сетки

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Ehlektricheskaya aktivnost' dislokatsij i tochechnykh defektov deformatsionnogo proiskhozhdeniya v kristallakh Cd

Publishing Information

Journal Title
Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
Journal Volume
37
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 8-16
ISSN
0015-3222
CODEN
FTPPA4

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
35081249
Subject category
S36: MATERIALS SCIENCE;
Descriptors DEI
CADMIUM TELLURIDES; COMPRESSION; DISLOCATIONS; ELECTRON MOBILITY; HALL EFFECT; MAGNETIC FIELDS; MERCURY TELLURIDES; MONOCRYSTALS; POINT DEFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SOLID SOLUTIONS; STRAINS; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0000-0013 K; TEMPERATURE RANGE 0013-0065 K; TEMPERATURE RANGE 0065-0273 K
Descriptors DEC
CADMIUM COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; CRYSTAL DEFECTS; CRYSTAL STRUCTURE; CRYSTALS; DISPERSIONS; HOMOGENEOUS MIXTURES; LINE DEFECTS; MATERIALS; MERCURY COMPOUNDS; MIXTURES; MOBILITY; PARTICLE MOBILITY; SOLUTIONS; TELLURIDES; TELLURIUM COMPOUNDS; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
20 refs., 6 figs., 1 tab.