Published November 2001
| Version v1
Journal article
Reverse current of variable-gap p-n structure with nonmonotonous coordinate dependence of forbidden band gap
Description
Peculiarities of reverse current of variable-gap p-n-structure in which forbidden band gap linearly enlarges with increasing the distance from structure metallurgical edge are analyzed theoretically. It is shown that by means of the variable-gap capability one can significantly reduce the reverse current related to the carrier thermal generation in base regions and at Ohmic contacts. The possibility of formation of reverse branch of the voltage-current characteristic of a portion with negative differential resistance in the case of large forbidden band gap gradients is predicted
Abstract (Russian)
Теоретически проанализированы особенности обратного тока варизонной p-n-структуры, в которой ширина запрещенной зоны линейно возрастает с увеличением расстояния от металлургической границы. Показано, что за счет варизонности можно значительно уменьшить обратный ток p-n-перехода, связанный с тепловой генерацией носителей в базовых областях структуры и на омических контактах. Предсказана возможность возникновения в случае больших градиентов ширины запрещенной зоны на обратной ветви вольт-амперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлениемAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Обратный ток варизонной п-н-структуры с немонотонной координатной зависимостью ширины запрещенной зоны
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 35
- Journal Issue
- 11
- Journal Page Range
- p. 1341-1346
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 34045878
- Subject category
- S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
- Descriptors DEI
- BAND THEORY; CHARGE CARRIERS; DIAGRAMS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC CURRENTS; ENERGY GAP; P-N JUNCTIONS; PHOTODIODES
- Descriptors DEC
- CURRENTS; ELECTRICAL PROPERTIES; INFORMATION; PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS
Optional Information
- Notes
- 18 refs., 3 figs.