Published 2000
| Version v1
Journal article
Radiation-induced effects in chalcogenide glasses of Ge-As-Se system
Creators
- 1. L'vovskij NII Materialov, NPP Karat, L'vov (Ukraine)
- 2. Inst. Fiziki Tverdogo Tela Bolgarskoj AN, Sofiya (Bulgaria)
- 3. L'vovskij Gosuniversitet im. I. Franko (Ukraine)
Description
The radiation-optical properties of the chalcogenide glass-like semiconductors of the Ge-As-S ternary systems by variation of the coordination number from 2.4 up to 2.8 are studied. It is shown, that irradiation of the As2S3-Ge2S3 system samples through gamma-quanta of the 60Co radionuclides leads to increase in the long-wave shift of their fundamental absorption edge. the value and character of the given effect essentially depend on the type of the structure of the studied samples and change by the 2D-3D phase transition. The microstructural mechanism of the observed radiation-optical effects is bound most probably with the processes of coordination defects formation
Abstract (Russian)
Изучены радиационно-оптические свойства халькогенидных стеклообразных полупроводников тройных систем Ge-As-S при варьировании координационного числа от 2,4 до 2,8. Показано, что облучение образцов системы As2S3-Ge2S3 гамма-квантами радионуклидов 60Со ведет к длинноволновому сдвигу их края фундаментального поглощения. Величина и характер данного эффекта существенно зависят от типа структруры исследованных образцов и изменяются при фазовом переходе 2Д-3Д. Микроструктурный механизм наблюдаемых радиационно-оптических эффектов связан, вероятнее всего, с процессами координационного дефектообразованияAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Радиационно-индуцированные эффекты в халькогенидных стеклах системы Ге-Ас-С
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Khimiya Stekla
- Journal Volume
- 26
- Journal Issue
- 3
- Journal Page Range
- p. 374-380
- ISSN
- 0132-6651
- CODEN
- FKSTD5
Conference
- Title
- International conference on glasses and solid electrolytes
- Original Conference Title
- Mezhdunarodnaya konferentsiya: Stekla i tverdye ehlektrolity
- Dates
- 17-19 May 1999
- Place
- Sankt-Peterburg (Russian Federation)
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 32030116
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Resource subtype / Literary indicator
- Conference
- Descriptors DEI
- ARSENIC SULFIDES; COORDINATION NUMBER; CRYSTAL DEFECTS; GAMMA RADIATION; GERMANIUM SULFIDES; GLASS; MICROSTRUCTURE; OPTICAL PROPERTIES; PHASE TRANSFORMATIONS; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS
- Descriptors DEC
- ARSENIC COMPOUNDS; CHALCOGENIDES; CRYSTAL STRUCTURE; ELECTROMAGNETIC RADIATION; GERMANIUM COMPOUNDS; IONIZING RADIATIONS; MATERIALS; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; RADIATIONS; SULFIDES; SULFUR COMPOUNDS
Optional Information
- Notes
- 19 refs., 2 figs.