Published April 2006 | Version v1
Journal article

Dependence of characteristics of relativistic electron coherent X-radiation in thick crystal on its input surface orientation

  • 1. Belgorodskij Gosudarstvennyj Univ., Belgorod (Russian Federation)

Description

The influence of single crystal input surface orientation on the diffracted transition radiation (DTR) under fixed orientation of atomic planes relative to relativistic electron beam is investigated. The analytical expressions of relativistic electrons DTR and parametric X-radiation spectral-angular density are deduced. Calculations f DTR silicon and germanium crystals reveal the significant dependence of DTR parameters on input surface orientation

Abstract (Russian)

Исследовалось влияние ориентации входной поверхности кристалла на дифрагированное переходное излучение (ДПИ) при неизменной ориентации атомных плоскостей относительно пучка релятивистских электронов. Получены аналитические выражения для спектрально-угловой плотности ДПИ и параметрического рентгеновского излучения. Расчеты для кристаллов кремния и германия показали существенную зависимость характеристик ДПИ от ориентации входной поверхности кристалла

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Зависимость характеристик когерентного рентгеновского излучения релятивистского электрона в толстом кристалле от ориентации его входной поверхности

Publishing Information

Journal Title
Poverkhnost'. Rentgenovskie, Sinkhrotronnye i Nejtronnye Issledovaniya
Journal Issue
no.4
Journal Page Range
p. 23-29
ISSN
1028-0960

Conference

Title
35. conference on physics of interaction of charged particles with crystals
Original Conference Title
XXXV Mezhdunarodnaya konferentsiya po fizike vzaimodejstviya zaryazhennykh chastits s kristallami
Dates
27-29 May 2005
Place
Moscow (Russian Federation)

Optional Information

Notes
7 refs., 6 figs.