Published May 2001 | Version v1
Journal article

Dielectric properties of melt-grown Cd1-xZnxTe crystals

  • 1. Nauchno-Tekhnologicheskij Kontsern Inst. Monokristallov, Khar'kov (Ukraine)
  • 2. Gosudarstvennyj Aehrokosmicheskij Univ. im. N.E. Zhukovskogo, Khar'kovskij Aviatsionnyj Inst., Khar'kov (Ukraine)

Description

The temperature and frequency dependences of actual and imaginary parts of the complex dielectric permittivity of the Cd1-xZnxTe (x = 0.1-0.2) crystals are determined. It is shown, that the dielectric relaxation effect is characteristic for the studied crystals. Potential barriers, determining the dielectric permittivity parameters and characteristics, are connected with these peculiarities of the composition and structure. The photoexcitation causes changes in these parameters

Abstract (Russian)

Определены температурные и частотные зависимости действительной и мнимой частей комплексной диэлектрической проницаемости кристаллов Cd1-xZnxTe (х = 0,1-0,2). Показано, что для исследованных кристаллов характерно явление диэлектрической релаксации. С этими особенностями состава и структуры связаны потенциальные барьеры, определяющие параметры и характеристики диэлектрической релаксации. Фотовозбуждение вызывает изменение этих параметров

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Диэлектрические свойства кристаллов Cд

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
37
Journal Issue
5
Journal Page Range
p. 540-543
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

Optional Information

Notes
10 refs.; 1 tab.; 3 figs.