Tunnel type magnetoresistance in EuO0.7PbO0.3MnO3 (single crystal) / Fe (film) structure
Creators
- 1. Krasnoyarskij Gosudarstvennyj Univ., Krasnoyarsk (Russian Federation)
- 2. Inst. Fiziki im. L.V. Kirenskogo SO RAN, Krasnoyarsk (Russian Federation)
Description
The magnetoresistance properties of the structure, representing the EuO0.7PbO0.3MnO3 manganite monocrystal with the Fe epitaxial film, applied thereon, are studied. The effect of the positive magnetoresistance is observed at the temperatures below the manganites crystal TC. The behavior of the structure resistance from the magnetic field has the form, specific for the tunnel transitions with electrodes from the ferromagnetic materials, separated by a thin dielectric layer. This effect is related to formation in the near-the-contact area of the Fe-manganite transition layer, depleted by oxygen and characterized by dielectric properties. The sensitivity of the studied structure resistance to the magnetic field is determined both by the manganite negative crystal magnetoresistance and by the tunnel contribution to the conductivity mechanism, whereby the tunnel current value depends on the mutual orientation of the electrodes magnetic moments (the EuO0.7PbO0.3MnO3 crystal and Fe film)
Abstract (Russian)
Исследованы магниторезистивные свойства структуры, представляющей собой монокристалл манганита EuO0.7PbO0.3MnO3 с нанесенной на него эпитаксиальной пленкой Fe. При температурах ниже ТC кристалла манганита для структуры наблюдается эффект положительного магнитосопротивления. Поведение сопротивления структуры от магнитного поля имеет вид, характерный для туннельных переходов с электродами из ферромагнитных материалов, разделенных тонким слоем диэлектрика. Эффект связывается с формированием в приконтактной области манганит-Fe переходного слоя, обедненного кислородом, обладающего диэлектрическими свойствами. Чувствительность сопротивления исследуемой структуры к магнитному полю определяется как отрицательным магнитосопротивлением кристалла манганита, так и туннельным вкладом в механизм проводимости, при котором величина туннельного тока зависит от взаимной ориентации магнитных моментов электродов (кристалл EuO0.7PbO0.3MnO3 и пленка Fe)Additional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Магнитосопротивление туннельного типа в структуре EuO
Publishing Information
- Journal Title
- Pis'ma v Zhurnal Tekhnicheskoj Fiziki
- Journal Volume
- 29
- Journal Issue
- 5
- Journal Page Range
- p. 54-60
- ISSN
- 0320-0116
- CODEN
- PZTFDD
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 35054578
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- EUROPIUM OXIDES; HETEROJUNCTIONS; IRON; LEAD OXIDES; MAGNETIC FIELDS; MAGNETORESISTANCE; MANGANESE OXIDES; MONOCRYSTALS; SOLID SOLUTIONS; SUBSTRATES; THIN FILMS; TUNNEL EFFECT
- Descriptors DEC
- CHALCOGENIDES; CRYSTALS; DISPERSIONS; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; EUROPIUM COMPOUNDS; FILMS; HOMOGENEOUS MIXTURES; LEAD COMPOUNDS; MANGANESE COMPOUNDS; METALS; MIXTURES; OXIDES; OXYGEN COMPOUNDS; PHYSICAL PROPERTIES; RARE EARTH COMPOUNDS; SEMICONDUCTOR JUNCTIONS; SOLUTIONS; TRANSITION ELEMENT COMPOUNDS; TRANSITION ELEMENTS
Optional Information
- Notes
- 7 refs., 2 figs.