Published January 2004 | Version v1
Journal article Metadata-only

Photoluminescence of GeSi/Si(001) self-organizing nanoislands of different forms

Creators

  • 1. RAN, Inst. Fiziki Mikrostruktur, Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Paper presents the results of investigation into dependence of photoluminescence spectra of structures with GeSi/Si(001) self-organizing islands on Ge precipitation temperature. One detected nonmonotonic nature of dependence of position of photoluminescence peak maximum on islands at drop of Ge precipitation temperature. Shift of photoluminescence peak from islands towards region of high energies at drop of growth temperature from 600 up to 550 deg C is associated with variation of configuration of islands accompanied by abrupt reduction of average height of island occurring within the mentioned temperature range

Abstract (Russian)

Представлены результаты исследования зависимости спектров фотолюминесценции структур с самоорганизующимися островками GeSi/Si(001) от температуры осаждения Ge. Обнаружен немонотонный характер зависимости положения максимума пика фотолюминесценции от островков при понижении температуры осаждения Ge. Сдвиг пика фотолюминесценции от островков в область больших энергий при понижении температуры роста с 600 до 550 град С связывается с происходящим в этом температурном интервале изменением формы островков, которое сопровождается резким уменьшением средней высоты островков

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Фотолюминесценция GeSi/Си(001) самоорганизующихся наноостровков различной формы

Publishing Information

Journal Title
Fizika Tverdogo Tela
Journal Volume
46
Journal Issue
1
Journal Page Range
p. 63-66
ISSN
0367-3294
CODEN
FTVTAC

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
37064478
Subject category
S75: CONDENSED MATTER PHYSICS, SUPERCONDUCTIVITY AND SUPERFLUIDITY;
Descriptors DEI
BAND THEORY; DIAGRAMS; ELECTRONIC STRUCTURE; EMISSION SPECTRA; GERMANIUM SILICIDES; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MORPHOLOGY; NANOSTRUCTURES; PHOTOLUMINESCENCE; SILICON; TEMPERATURE DEPENDENCE; TEMPERATURE RANGE 0400-1000 K
Descriptors DEC
CRYSTAL GROWTH METHODS; ELEMENTS; EMISSION; EPITAXY; GERMANIUM COMPOUNDS; INFORMATION; LUMINESCENCE; PHOTON EMISSION; SEMIMETALS; SILICIDES; SILICON COMPOUNDS; SPECTRA; TEMPERATURE RANGE

Optional Information

Notes
10 refs., 3 figs.