Published June 1998 | Version v1
Journal article

Effect of in-diffused copper on the electrical properties of CdSnAs2

  • 1. Dagestanskij Nauchnyj Tsentr RAN, Inst. Fiziki im. X.I.Amirkhanova, Makhachkala (Russian Federation)
  • 2. Nizhegorodskij Gosudarstvennyj Pedagogicheskij Univ., Nizhnij Novgorod (Russian Federation)

Description

Interaction of the copper additions in-diffused from the electrical layer on the n-CdSnAs2 sample surface is studied by the Hall coefficient concentration dependencies, specific resistance and parameters. It is found that the initial electron concentration and concentration of defects in n-CdSnAs2 and CuAs in CdSnAs2 are of the same order. Knowledge of the initial parameters values is not enough for forecasting the crystal characteristics after diffusion alloying

Abstract (Russian)

По концентрационным зависимостям коэффициента Холла, удельного сопротивления и характеристических параметров носителей заряда исследовано взаимодействие диффузионно введенной из электролитического слоя на поверхности образца n-CdSnAs2 примеси меди. Выяснено, что исходная концентрация электронов и концентрации дефектов в n-CdSnAs2 и CuAs в CdSnAs2 одного порядка. Знания значений исходных параметров недостаточно для прогнозирования характеристик кристалла после диффузионного легирования

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Исследование поведения диффузионно введенной в CdSnAs

Publishing Information

Journal Title
Neorganicheskie Materialy
Journal Volume
34
Journal Issue
6
Journal Page Range
p. 647-652
ISSN
0002-337X
CODEN
NEOMB8

Optional Information

Notes
15 refs., 5 figs., 2 tabs.