Photoconductivity of amorphous hydrogenated silicon, doped by ion implantation
- 1. Moskovskij Gosudarstvennyj Univ. im. M.V. Lomonosova, Moscow (Russian Federation)
- 2. Varshavskij Tekhnologicheskij Univ., Varshava (Poland)
Description
The influence of impurity concentration (phosphorous or boron) on the photoconductivity of amorphous hydrogenated silicon films doped by ion implantation is studied. The results are compared against the data obtained for the films doped from vapor phase. The results show the difference of the dependences of the photoconductivity on the doping level for phosphorus and boron implanted films. The photoconductivity of phosphorus implanted films increases with the doping level and is one order of magnitude lower then the photoconductivity of the films doped from vapor phase. On the other hand, the photoconductivity of the films doped with boron changes insignificantly with the doping level and is close to the photoconductivity of the films doped from gas phase
Abstract (Russian)
Исследовано влияние концентрации примесей (фосфора и бора) на фотопроводимость пленок аморфного гидрированного кремния, гидрированного и легированного методом ионной имплантации. Проведено сопоставление с данными для пленок, легированных из газовой фазы. Обнаружено существенное отличие зависимостей фотопроводимости от уровня легирования для фосфора и бора. Фотопроводимость имплантированных фосфором пленок возрастает с уровнем легирования и на порядок величины меньше фотопроводимости пленок, легированных фосфором из газовой фазы. В то же время фотопроводимость пленок, имплантированных бором, слабо зависит от уровня легирования и практически совпадает с фотопроводимостью пленок, легированных бором из газовой фазыAdditional details
Additional titles
- Original title (Russian)
- Фотопроводимость аморфного гидрированного кремния, легированного методом ионной имплантации
Publishing Information
- Journal Title
- Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov
- Journal Volume
- 33
- Journal Issue
- 3
- Journal Page Range
- p. 332-335
- ISSN
- 0015-3222
- CODEN
- FTPPA4
INIS
- Country of Publication
- Russian Federation
- Country of Input or Organization
- Russian Federation
- INIS RN
- 31015630
- Subject category
- S36: MATERIALS SCIENCE;
- Descriptors DEI
- BORON ADDITIONS; CHEMICAL VAPOR DEPOSITION; FERMI LEVEL; FILMS; HYDRIDATION; ION IMPLANTATION; PHOSPHORUS ADDITIONS; PHOTOCONDUCTIVITY; PHYSICAL RADIATION EFFECTS; SEMICONDUCTOR MATERIALS; SILICON
- Descriptors DEC
- CHEMICAL COATING; CHEMICAL REACTIONS; DEPOSITION; ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRICAL PROPERTIES; ELEMENTS; ENERGY LEVELS; MATERIALS; PHYSICAL PROPERTIES; RADIATION EFFECTS; SEMIMETALS; SURFACE COATING
Optional Information
- Notes
- 14 refs., 2 figs.