Published March 2005 | Version v1
Journal article Metadata-only

Thermionic gap with p-semiconductor

Creators

  • 1. GNTs RF - FEhI im. A.I. Lejpunskogo, Obninsk (Russian Federation)

Description

It is shown that the volt-ampere characteristics of the thermoemission transformer with the p-semiconductor in the interelectrode gap should correspond to the characteristics for the case of thermoemission transformer with the n-semiconductor. The difference consists only in the current polarity and electromotive force

Abstract (Russian)

Показано, что вольт-амперные характеристики термоэмиссионного преобразователя с p-полупроводником в межэлектродном зазоре должны соответствовать тому, что имеет место для случая термоэмиссионного преобразователя с n-полупроводником. Отличие только в полярности тока и э.д.с

Additional details

Additional titles

Original title (Russian)
Тхермоэмиссионный промежуток с п-полупроводником

Publishing Information

Journal Title
Atomnaya Ehnergiya
Journal Volume
98
Journal Issue
3
Journal Page Range
p. 211-215
ISSN
0004-7163
CODEN
AENGAB

INIS

Country of Publication
Russian Federation
Country of Input or Organization
Russian Federation
INIS RN
38011275
Subject category
S30: DIRECT ENERGY CONVERSION;
Descriptors DEI
ELECTRIC CONDUCTIVITY; ELECTRIC CURRENTS; ELECTROMOTIVE FORCE; N-TYPE CONDUCTORS; P-TYPE CONDUCTORS; PERFORMANCE; THERMIONIC CONVERTERS
Descriptors DEC
CURRENTS; DIRECT ENERGY CONVERTERS; ELECTRICAL PROPERTIES; MATERIALS; PHYSICAL PROPERTIES; SEMICONDUCTOR MATERIALS

Optional Information

Notes
2 refs., 2 figs.